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CY14B101LA-BA45XI

更新时间： 2024-01-20 12:40:19
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
28页 1019K
描述
1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM

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CY14B101LA-BA45XI 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA, BGA48,6X8,30
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.42Is Samacsys：N
最长访问时间：45 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e1长度：10 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：48
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA48,6X8,30封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.005 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.052 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：6 mmBase Number Matches：1

CY14B101LA-BA45XI 数据手册

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CY14B101LA  
CY14B101NA  
1-Mbit (128 K × 8/64 K × 16) nvSRAM  
1-Mbit (128  
K × 8/64 K × 16) nvSRAM  
■ Packages  
Features  
❐ 32-pin small-outline integrated circuit (SOIC)  
❐ 44-/54-pin thin small outline package (TSOP) Type II  
■ 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times  
❐ 48-pin shrink small-outline package (SSOP)  
❐ 48-ball fine-pitch ball grid array (FBGA)  
■ Internally organized as 128 K × 8 (CY14B101LA) or 64 K × 16  
(CY14B101NA)  
■ Pb-free and restriction of hazardous substances (RoHS)  
compliant  
■ Hands off automatic STORE on power-down with only a small  
capacitor  
■ STORE to QuantumTrap nonvolatile elements initiated by  
software, device pin, or AutoStore on power-down  
Functional Description  
The Cypress CY14B101LA/CY14B101NA is a fast static RAM  
(SRAM), with a nonvolatile element in each memory cell. The  
memory is organized as 128 K bytes of 8 bits each or 64 K words  
of 16 bits each. The embedded nonvolatile elements incorporate  
QuantumTrap technology, producing the world’s most reliable  
nonvolatile memory. The SRAM provides infinite read and write  
cycles, while independent nonvolatile data resides in the highly  
reliable QuantumTrap cell. Data transfers from the SRAM to the  
nonvolatile elements (the STORE operation) takes place  
automatically at power-down. On power-up, data is restored to  
the SRAM (the RECALL operation) from the nonvolatile memory.  
Both the STORE and RECALL operations are also available  
under software control.  
■ RECALL to SRAM initiated by software or power-up  
■ Infinite read, write, and RECALL cycles  
■ 1 million STORE cycles to QuantumTrap  
■ 20 year data retention  
■ Single 3 V +20% to –10% operation  
■ Industrial temperature  
Logic Block Diagram [1, 2, 3]  
VCAP  
VCC  
Quatrum Trap  
1024 X 1024  
R
O
W
A5  
A6  
A7  
A8  
A9  
POWER  
CONTROL  
STORE  
RECALL  
D
E
C
O
D
E
R
STORE/RECALL  
CONTROL  
HSB  
STATIC RAM  
ARRAY  
1024 X 1024  
A12  
A13  
A14  
SOFTWARE  
DETECT  
A15  
A14 - A2  
A16  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
I
N
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
DQ5  
DQ6  
DQ7  
COLUMN I/O  
DQ8  
DQ9  
DQ10  
OE  
COLUMN DEC  
WE  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
DQ14  
CE  
BLE  
A0 A1 A2 A3 A4 A10 A11  
DQ15  
BHE  
Notes  
1. Address A –A for × 8 configuration and Address A –A for × 16 configuration.  
0
16  
0
15  
2. Data DQ –DQ for × 8 configuration and Data DQ –DQ for × 16 configuration.  
0
7
0
15  
3. BHE and BLE are applicable for × 16 configuration only.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 001-42879 Rev. *L  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised July 14, 2011  
[+] Feedback  
1234567...28

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CY14B101LA-BA45XI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY14B101LA-BA45XIT CYPRESS

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CY14B101LA-BA45XIT CYPRESS

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 		1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM
CY14B101LA-BA45XIT INFINEON

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 		nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14B101LA-SP20XC CYPRESS

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CY14B101LA-SP20XCT CYPRESS

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