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CXT5401

更新时间： 2024-01-25 05:49:38

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	613K
描述
TRANSISTOR (PNP)

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CXT5401 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	60	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

CXT5401 数据手册

CXT5401

TRANSISTOR (PNP)

SOT-89

1. ^BASE

FEATURE

Switching and amplification in high voltage

Applications such as telephony

Low current(max. 500mA)

High voltage(max.160v)

2. ^COLLECTOR

3. ^EMITTER

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

-160

-150

-5

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

-0.5

P_C

T_J

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

0.5

150

℃

T_stg

-55-150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

-160

-150

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBOI_C= -100μA, I_E=0

V_(BR)CEOI_C= -1mA, I_B=0

V_(BR)EBO

I_CBO

I_E= -10μA, I_C=0

V_CB= -120 V, I_E=0

V_EB= -3V, I_C=0

-50

Emitter cut-off current

I_EBO

h_FE(1)

V_CE= -5V, I_C=-1 mA

V_CE= -5V, I_C= -10 mA

V_CE= -5V, I_C=-50 mA

I_C= -10 mA, I_B= -1 mA

I_C= -50 mA, I_B= -5 mA

I_C= -10 mA, I_B= -1 mA

I_C= -50 mA, I_B= -5 mA

DC current gain

h_FE(2)

300

h_FE(3)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

-0.2

-0.5

-1

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

-1

V_CE= -10V, I_C= -10mA,

f = 100MHz

Transition frequency

Output Capacitance

Noise Figure

f _T

100

300

MHz

C_ob

V_CB=-10V, I_E= 0,f=1MHz

V_CE= -5.0V, I_C= -200μA,

R_S= 10Ω,f =10Hz to15.7kHz

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
CXT5401_10	CENTRAL	SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR	获取价格
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