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CXM3592AUR-T9

更新时间： 2024-02-28 21:41:33

品牌	Logo	应用领域
索尼 - SONY		射频微波光电二极管
页数	文件大小	规格书
15页	640K
描述
SPDT, 2700MHz Max, 1 Func, 0.77dB Insertion Loss-Max, GAAS

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CXM3592AUR-T9 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LCC12,.08SQ,20	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.74	最大插入损耗：	0.77 dB
最小隔离度：	9 dB	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	12
准时：	9 µs	最大工作频率：	2700 MHz
最高工作温度：	90 °C	最低工作温度：	-35 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	LCC12,.08SQ,20
电源：	2.5 V	射频/微波设备类型：	SPDT
子类别：	RF/Microwave Switches	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	最大电压驻波比：	1.5
Base Number Matches：	1

CXM3592AUR-T9 数据手册

Ultra-High Linearity SPDT Switch

CXM3592AUR

Description

The CXM3592AUR is a high power and ultra-high linearity SPDT switch for wireless communication systems.

The CXM3592AUR can be used for SVLTE and carrier aggregation requiring very high linearity.

This IC has a 1.8 V CMOS compatible decoder.

The Sony GaAs junction gate pHEMT (JPHEMT) MMIC process is used for low insertion loss and ultra-high linearity.

(Application: LTE/CDMA/GSM/UMTS Handsets and mini base-stations)

Features

◆Insertion loss: 0.22 dB (Typ.) (Cellular Band / GSM Low Band)

0.43 dB (Typ.) (IMT2000 / GSM High Band)

◆Ultra-high linearity: IMD3 = –104 dBm (Max.), IIP3 = 82 dBm (Min.)

at LTE Band 13, PTx = +23 dBm, PBlocker = +14 dBm

◆Low voltage operation: V_DD= 2.5 V

◆No DC blocking capacitors required on RF ports

◆1 control input

◆Small package size: UQFN-12 pin (2.0 mm × 2.0 mm)

◆Lead-Free and RoHS compliant

Structure

GaAs JPHEMT MMIC switch, CMOS decoder

Absolute Maximum Ratings

♦ Bias voltage

V_DD

Vctl

(Ta = 25 ˚C)

♦ Control voltage

(Ta = 25 ˚C)

♦ Maximum input power

♦ Operating temperature

♦ Storage temperature

dBm

˚C

(Duty cycle = 12.5 to 50 %, Ta = 25 ˚C)

Topr

Tstg

–35 to +90

–65 to +150

˚C

This IC is ESD sensitive device. Special handling precautions are required.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
CXM3593UR-T9	SONY	DPDT, 2700MHz Max, 1 Func, 0.7dB Insertion Loss-Max, GAAS	获取价格
CXM-3-65-80-18-AC40-F5-3	LUMINUS	White LED Pico-COB Arrays	获取价格
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