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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFP | 包装说明： | QFP, QFP100(UNSPEC) |
| 针数： | 100 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.B | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 11 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 20 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 32 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 100 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX32 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QFP | 封装等效代码： | QFP100(UNSPEC) |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.35 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | MOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | QUAD | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CXK77V3211Q-12 | SONY |
获取价格 |
32768-word by 32-bit High Speed Synchronous Static RAM |
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| CXK77V3211Q-14 | SONY |
获取价格 |
32768-word by 32-bit High Speed Synchronous Static RAM |
|
| CXK77V3211R-14 | ETC |
获取价格 |
x32 Fast Synchronous SRAM |
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| CXK77V3211R-14L | ETC |
获取价格 |
x32 Fast Synchronous SRAM |
|
| CXK77V940GB-10 | ETC |
获取价格 |
x9 Synchronous SRAM |
|
| CXK77V940GB-12 | ETC |
获取价格 |
x9 Synchronous SRAM |
|
| CXK77V940GB-8 | ETC |
获取价格 |
x9 Synchronous SRAM |
|
| CXK784861AQ-33 | ETC |
获取价格 |
Cache Subsystem |
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| CXK784861Q-33 | ETC |
获取价格 |
Cache Subsystem |
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| CXK784862Q-50 | ETC |
获取价格 |
Cache Subsystem |
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