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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | BGA, BGA119,7X17,50 |
| 针数： | 119 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 4 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 22 mm |
| 内存密度： | 4718592 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 9 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 119 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX9 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA119,7X17,50 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.26 A |
| 最小待机电流： | 3.14 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.33 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CXK77V3211Q | SONY |
获取价格 |
32768-word by 32-bit High Speed Synchronous Static RAM |
|
| CXK77V3211Q11 | ETC |
获取价格 |
x32 Fast Synchronous SRAM |
|
| CXK77V3211Q-11 | SONY |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX32, 11ns, MOS, PQFP100, QFP-100 |
|
| CXK77V3211Q-12 | SONY |
获取价格 |
32768-word by 32-bit High Speed Synchronous Static RAM |
|
| CXK77V3211Q-14 | SONY |
获取价格 |
32768-word by 32-bit High Speed Synchronous Static RAM |
|
| CXK77V3211R-14 | ETC |
获取价格 |
x32 Fast Synchronous SRAM |
|
| CXK77V3211R-14L | ETC |
获取价格 |
x32 Fast Synchronous SRAM |
|
| CXK77V940GB-10 | ETC |
获取价格 |
x9 Synchronous SRAM |
|
| CXK77V940GB-12 | ETC |
获取价格 |
x9 Synchronous SRAM |
|
| CXK77V940GB-8 | ETC |
获取价格 |
x9 Synchronous SRAM |
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