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CXK77V1810GB-10

更新时间: 2024-11-08 14:41:35
品牌 Logo 应用领域
索尼 - SONY 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 302K
描述
Standard SRAM, 128KX9, 6ns, CMOS, PBGA119, 0.050 INCH PITCH, PLASTIC, BGA-119

CXK77V1810GB-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:BGA, BGA119,7X17,50
针数:119Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:6 ns
其他特性:SELF TIMED WRITE; ALSO CONFIGURABLE AS 64K X 18I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B119JESD-609代码:e0
内存密度:1179648 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:9功能数量:1
端子数量:119字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX9输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装等效代码:BGA119,7X17,50封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.15 A
最小待机电流:3.14 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.22 mA最大供电电压 (Vsup):3.45 V
最小供电电压 (Vsup):3.15 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:1.27 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

CXK77V1810GB-10 数据手册

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