Datasheet > CXK77V1810GB-10

CXK77V1810GB-10

更新时间： 2024-11-10 14:41:35

品牌	Logo	应用领域
索尼 - SONY		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
6页	302K
描述
Standard SRAM, 128KX9, 6ns, CMOS, PBGA119, 0.050 INCH PITCH, PLASTIC, BGA-119

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CXK77V1810GB-10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA, BGA119,7X17,50
针数：	119	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	SELF TIMED WRITE; ALSO CONFIGURABLE AS 64K X 18	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1179648 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	9	功能数量：	1
端子数量：	119	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX9	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA119,7X17,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.15 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.22 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CXK77V1840GB-10	SONY	获取价格	Standard SRAM, 512KX9, 5.5ns, CMOS, PBGA119, 0.050 INCH PITCH, PLASTIC, BGA-119
CXK77V1840GB-12	SONY	获取价格	Standard SRAM, 512KX9, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 0.050 INCH PITCH, PLASTIC, BGA-119
CXK77V1840GB-8	SONY	获取价格	Standard SRAM, 512KX9, 4ns, CMOS, PBGA119, 0.050 INCH PITCH, PLASTIC, BGA-119
CXK77V3211Q	SONY	获取价格	32768-word by 32-bit High Speed Synchronous Static RAM
CXK77V3211Q11	ETC	获取价格	x32 Fast Synchronous SRAM
CXK77V3211Q-11	SONY	获取价格	Standard SRAM, 32KX32, 11ns, MOS, PQFP100, QFP-100
CXK77V3211Q-12	SONY	获取价格	32768-word by 32-bit High Speed Synchronous Static RAM
CXK77V3211Q-14	SONY	获取价格	32768-word by 32-bit High Speed Synchronous Static RAM
CXK77V3211R-14	ETC	获取价格	x32 Fast Synchronous SRAM
CXK77V3211R-14L	ETC	获取价格	x32 Fast Synchronous SRAM