Datasheet > CXK77P18R160GB-3

CXK77P18R160GB-3

更新时间： 2024-11-11 14:48:43

品牌	Logo	应用领域
索尼 - SONY		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	238K
描述
Late-Write SRAM, 1MX18, 1.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CXK77P18R160GB-3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA, BGA119,7X17,50	针数：	119
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	1.8 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
JESD-609代码：	e0	长度：	22 mm
内存密度：	18874368 bit	内存集成电路类型：	LATE-WRITE SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	119	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	1MX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA119,7X17,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	1.8,2.5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.5 mm
最大待机电流：	0.25 A	最小待机电流：	2.37 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.78 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

CXK77P18R160GB-3 数据手册

SONYÒ CXK77P36R160GB / CXK77P18R160GB

3/33/4

16Mb LW R-R HSTL High Speed Synchronous SRAMs (512K x 36 or 1M x 18)

Preliminary

Description

The CXK77P36R160GB (organized as 524,288 words by 36 bits) and the CXK77P18R160GB (organized as 1,048,576 words

by 18 bits) are high speed CMOS synchronous static RAMs with common I/O pins. These synchronous SRAMs integrate input

registers, high speed RAM, output registers, and a one-deep write buffer onto a single monolithic IC. Register - Register (R-R)

read operations and Late Write (LW) write operations are supported, providing a high-performance user interface.

All address and control input signals except G (Output Enable) and ZZ (Sleep Mode) are registered on the rising edge of the K

differential input clock.

During read operations, output data is driven valid from the rising edge of K, one full clock cycle after address is registered.

During write operations, input data is registered on the rising edge of K, one full clock cycle after address is registered.

Sleep (power down) capability is provided via the ZZ input signal.

Output drivers are series terminated, and output impedance is programmable via the ZQ input pin. By connecting an external

control resistor RQ between ZQ and V , the impedance of all data output drivers can be precisely controlled.

333 MHz operation is obtained from a single 2.5V power supply. JTAG boundary scan interface is provided using a subset of

IEEE standard 1149.1 protocol.

Features

•

3 Speed Bins

Cycle Time / Access Time

3.0ns / 1.8ns

-3

-33

-4

3.3ns / 1.9ns

4.0ns / 2.0ns

•

Single 2.5V power supply (V ): 2.5V ± 5%

Dedicated output supply voltage (V

): 1.8V ± 0.1V

DDQ

HSTL-compatible I/O interface with dedicated input reference voltage (V ): 0.9V typical

REF

Late Write (LW) write protocol

Full read/write coherency

Byte Write capability

Differential input clocks (K/K)

Asynchronous output enable (G)

Sleep (power down) mode via dedicated mode pin (ZZ)

Programmable output driver impedance

JTAG boundary scan (subset of IEEE standard 1149.1)

119 pin (7x17), 1.27mm pitch, 14mm x 22mm Ball Grid Array (BGA) package

16Mb LW R-R, rev 1.0

1 / 22

June 24, 2002

12 3 4 5 6 7...22

中文翻译

下载PDF

与CXK77P18R160GB-3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CXK77P18R160GB-33	SONY	获取价格	Late-Write SRAM, 1MX18, 1.9ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
CXK77P18R160GB-4	SONY	获取价格	Late-Write SRAM, 1MX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
CXK77P36E160GB	SONY	获取价格	16Mb LW R-L HSTL High Speed Synchronous SRAMs (512K x 36 or 1M x 18)
CXK77P36E160GB-42AE	SONY	获取价格	16Mb LW R-L HSTL High Speed Synchronous SRAMs (512K x 36 or 1M x 18)
CXK77P36E160GB-42AF	SONY	获取价格	Standard SRAM, 512KX36, 4.1ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
CXK77P36E160GB-42AH	SONY	获取价格	Standard SRAM, 512KX36, 4.1ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
CXK77P36E160GB-42BE	SONY	获取价格	16Mb LW R-L HSTL High Speed Synchronous SRAMs (512K x 36 or 1M x 18)
CXK77P36E160GB-42E	SONY	获取价格	16Mb LW R-L HSTL High Speed Synchronous SRAMs (512K x 36 or 1M x 18)
CXK77P36E160GB-42F	SONY	获取价格	Standard SRAM, 512KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
CXK77P36E160GB-42G	SONY	获取价格	暂无描述

与CXK77P18R160GB-3相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

7
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

8
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CXK77P18R160GB-3

CXK77P18R160GB-3 技术参数

CXK77P18R160GB-3 数据手册

与CXK77P18R160GB-3相关器件

与CXK77P18R160GB-3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CXK77P18R160GB-3

CXK77P18R160GB-3 技术参数

CXK77P18R160GB-3 数据手册

与CXK77P18R160GB-3相关器件

与CXK77P18R160GB-3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？