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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | BGA, BGA119,7X17,50 | 针数： | 119 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.82 |
| 最长访问时间： | 6 ns | 其他特性： | BYTE WRITE; SELF TIMED WRITE |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 |
| 长度： | 22 mm | 内存密度： | 4718592 bit |
| 内存集成电路类型： | LATE-WRITE SRAM | 内存宽度： | 36 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 119 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX36 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装等效代码： | BGA119,7X17,50 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 2.5/3.3,3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最小待机电流： | 3.14 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.47 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.13 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | BICMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CXK77K18R320GB | SONY |
获取价格 |
32Mb LW R-R HSTL High Speed Synchronous SRAM (2Mb x 18) |
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| CXK77K18R320GB-3 | SONY |
获取价格 |
32Mb LW R-R HSTL High Speed Synchronous SRAM (2Mb x 18) |
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| CXK77K18R320GB-33 | SONY |
获取价格 |
32Mb LW R-R HSTL High Speed Synchronous SRAM (2Mb x 18) |
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| CXK77K18R320GB-4 | SONY |
获取价格 |
32Mb LW R-R HSTL High Speed Synchronous SRAM (2Mb x 18) |
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| CXK77K36R320GB | SONY |
获取价格 |
32Mb LW R-R HSTL High Speed Synchronous SRAM (1Mb x 36) |
|
| CXK77K36R320GB-3 | SONY |
获取价格 |
32Mb LW R-R HSTL High Speed Synchronous SRAM (1Mb x 36) |
|
| CXK77K36R320GB-33 | SONY |
获取价格 |
32Mb LW R-R HSTL High Speed Synchronous SRAM (1Mb x 36) |
|
| CXK77K36R320GB-4 | SONY |
获取价格 |
32Mb LW R-R HSTL High Speed Synchronous SRAM (1Mb x 36) |
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| CXK77L18162AGB | ETC |
获取价格 |
MEMORY-UHS Synch SRAMs＜/A＞＜/I＞ 16Meg Ultra-Hi |
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| CXK77L18162GB | ETC |
获取价格 |
MEMORY-UHS Synch SRAMs 16Meg Ultra-High-Speed Synchronous SRAM (1M x 18) (23 pages 312K Re |
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