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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.3 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 20 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 35.1 mm | 内存密度： | 73728 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 9 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8KX9 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.4 mm | 最大待机电流： | 0.001 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CXK5B16120J | SONY |
获取价格 |
65536-word X 16-bit High Speed Bi-CMOS Static RAM |
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| CXK5B16120J/TM-12 | ETC |
获取价格 |
65536-word x 16-bit High Speed Bi-CMOS Static RAM |
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| CXK5B16120J-12 | SONY |
获取价格 |
65536-word X 16-bit High Speed Bi-CMOS Static RAM |
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| CXK5B16120TM10 | SONY |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 10ns, PDSO44 |
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| CXK5B16120TM-12 | SONY |
获取价格 |
65536-word X 16-bit High Speed Bi-CMOS Static RAM |
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| CXK5B18120J-12 | ETC |
获取价格 |
x18 SRAM |
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| CXK5B18120TM- | SONY |
获取价格 |
65536-word x 18-bit High Speed Bi-CMOS Static RAM |
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| CXK5B18120TM-12 | SONY |
获取价格 |
65536-word x 18-bit High Speed Bi-CMOS Static RAM |
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| CXK5B41020TM- | SONY |
获取价格 |
262144-word x 4-bit High Speed Bi-CMOS Static RAM |
|
| CXK5B41020TM-12 | SONY |
获取价格 |
262144-word x 4-bit High Speed Bi-CMOS Static RAM |
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