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CXK5864M-12

更新时间: 2024-11-06 20:33:07
品牌 Logo 应用领域
索尼 - SONY 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 454K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 120ns, CMOS, PDSO28

CXK5864M-12 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, SOP28,.5Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.59Is Samacsys:N
最长访问时间:120 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP28,.5
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.002 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.065 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

CXK5864M-12 数据手册

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