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CXK58512M-55LL

更新时间： 2024-11-26 22:08:55

品牌	Logo	应用领域
索尼 - SONY		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	212K
描述
65536-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM

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CXK58512M-55LL 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP32,.56	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
长度：	20.5 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP32,.56
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.05 mm
最大待机电流：	0.000006 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	11.2 mm
Base Number Matches：	1

CXK58512M-55LL 数据手册

CXK58512TM/M-55LL/70LL/10LL

65536-word × 8-bit High Speed CMOS Static RAM

For the availability of this product, please contact the sales office.

Under development

Description

CXK58512TM

CXK58512M

The CXK58512TM/M is a high speed CMOS static

RAM organized as 65536-words by 8 bits.

A polysilicon TFT cell technology realized extremely

low stand-by current and higher data retention

stability.

32 pin TSOP (Plastic)

32 pin SOP (Plastic)

Special feature are low power consumption, high

speed.

The CXK58512TM/M is a suitable RAM for portable

equipment with battery back up.

Block Diagram

Features

A15

A13

A11

• Fast access time

-55LL

(Access time)

55ns (Max.)

70ns (Max.)

100ns (Max.)

10µA (Max.)

6µA (Max.)

VCC

Memory

Matrix

Row

Decoder

Buffer

-70LL

A14

A12

GND

1024 × 512

-10LL

• Low standby current

• Low data retention current

• Single +5V supply: +5V ± 10%

A10

• Low voltage data retention: 2.0V (Min.)

• Broad package line-up

I/O Gate

Column

Decoder

Buffer

CXK58512TM 8mm × 20mm 32 pin TSOP package

CXK58512M

525mil 32 pin SOP Package

Function

Buffer

65536-word × 8 bit static RAM

I/O Buffer

CE1

CE2

Structure

I/O1

I/O8

Silicon gate CMOS IC

Sony reserves the right to change products and specifications without prior notice. This information does not convey any license by

any implication or otherwise under any patents or other right. Application circuits shown, if any, are typical examples illustrating the

operation of the devices. Sony cannot assume responsibility for any problems arising out of the use of these circuits.

– 1 –

E94915A58-PK

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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