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CXK584000TM-11LL

更新时间: 2024-11-24 20:12:11
品牌 Logo 应用领域
索尼 - SONY 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 478K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 110ns, CMOS, PDSO32

CXK584000TM-11LL 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP32,.46Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.89最长访问时间:110 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP32,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:3/5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.000003 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.035 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

CXK584000TM-11LL 数据手册

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