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CXK58257M-85LL

更新时间: 2024-11-20 20:25:51
品牌 Logo 应用领域
索尼 - SONY 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 607K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28

CXK58257M-85LL 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, SOP28,.5Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.91最长访问时间:85 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0长度:18 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP28,.5封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.7 mm最大待机电流:0.00001 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:8.4 mm
Base Number Matches:1

CXK58257M-85LL 数据手册

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