是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SOP, SOP28,.5 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.69 | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP28,.5 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.7 mm | 最大待机电流: | 0.00005 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 8.4 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CXK58257M-70LL | SONY |
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Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28 | |
CXK58257M-85L | ETC |
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x8 SRAM | |
CXK58257M-85LL | SONY |
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Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28 | |
CXK58257P-10L | SONY |
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Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
CXK58257P-10LL | SONY |
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Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
CXK58257P-12L | ETC |
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x8 SRAM | |
CXK58257P-12LL | SONY |
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Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
CXK58257P-70L | SONY |
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Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
CXK58257P-70LL | SONY |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
CXK58257P-85L | ETC |
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x8 SRAM |