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CXK58257BM-10LLB

更新时间: 2024-11-06 19:57:39
品牌 Logo 应用领域
索尼 - SONY 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 503K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28,

CXK58257BM-10LLB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.88
最长访问时间:100 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP28,.5
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:3/5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.000005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.05 mA表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

CXK58257BM-10LLB 数据手册

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