5秒后页面跳转
CXK58257AP-12LB PDF预览

CXK58257AP-12LB

更新时间: 2024-11-05 12:59:43
品牌 Logo 应用领域
索尼 - SONY 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 294K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

CXK58257AP-12LB 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP28,.6针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.26
Is Samacsys:N最长访问时间:120 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T28
JESD-609代码:e0长度:36.8 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5 mm
最大待机电流:0.000002 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.05 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

CXK58257AP-12LB 数据手册

 浏览型号CXK58257AP-12LB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CXK58257AP-12LB的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CXK58257AP-12LB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CXK58257AP-12LB的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CXK58257AP-12LB的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CXK58257AP-12LB的Datasheet PDF文件第7页 

与CXK58257AP-12LB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CXK58257AP-12LL SONY

获取价格

32768-WORD X 8-BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM
CXK58257AP-12LLX ETC

获取价格

x8 SRAM
CXK58257AP-12LX SONY

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
CXK58257AP-70L SONY

获取价格

32768-WORD X 8-BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM
CXK58257AP-70LL SONY

获取价格

32768-WORD X 8-BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM
CXK58257AP-70LLX ETC

获取价格

x8 SRAM
CXK58257AP-70LX SONY

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
CXK58257AP-85L ETC

获取价格

x8 SRAM
CXK58257AP-85LL ETC

获取价格

x8 SRAM
CXK58257AP-85LLX ETC

获取价格

x8 SRAM