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CXK58257AP-12L

更新时间: 2024-11-19 22:22:31
品牌 Logo 应用领域
索尼 - SONY 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 294K
描述
32768-WORD X 8-BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM

CXK58257AP-12L 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP28,.6针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.69
最长访问时间:120 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T28JESD-609代码:e0
长度:36.8 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5 mm最大待机电流:0.00001 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.05 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

CXK58257AP-12L 数据手册

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