是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP28,.6 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.69 |
最长访问时间: | 120 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 36.8 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5 mm | 最大待机电流: | 0.00001 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
HM62256ALP-12SL | HITACHI |
功能相似 |
32,768-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM | |
HM62256ALP-12 | HITACHI |
功能相似 |
32,768-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CXK58257AP-12LB | SONY |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
CXK58257AP-12LL | SONY |
获取价格 |
32768-WORD X 8-BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM | |
CXK58257AP-12LLX | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
CXK58257AP-12LX | SONY |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
CXK58257AP-70L | SONY |
获取价格 |
32768-WORD X 8-BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM | |
CXK58257AP-70LL | SONY |
获取价格 |
32768-WORD X 8-BIT HIGH SPEED CMOS STATIC RAM | |
CXK58257AP-70LLX | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
CXK58257AP-70LX | SONY |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
CXK58257AP-85L | ETC |
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x8 SRAM | |
CXK58257AP-85LL | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |