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CXK582000M-10LL

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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索尼 - SONY		/
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11页	207K
描述
262144-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM

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CXK582000M-10LL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP32,.56
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	100 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	20.5 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	32
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP32,.56	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.05 mm
最大待机电流：	0.00004 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11.2 mm
Base Number Matches：	1

CXK582000M-10LL 数据手册

CXK582000TM/YM/M-85LL/10LL

Preliminary

262144-word × 8-bit High Speed CMOS Static RAM

For the availability of this product, please contact the sales office.

Description

CXK582000TM

CXK582000YM

The CXK582000TM/YM/M is a high speed CMOS

static RAM organized as 262144-words by 8 bits.

32 pin TSOP (PIastic)

polysilicon TFT cell technology realized

extremely low stand-by current and higher data

retention stability.

Special feature are low power consumption and

high speed and board package line-up.

The CXK582000TM/YM/M is a suitable RAM for

portable equipment with battery back up.

CXK582000M

32 pin SOP (PIastic)

Features

• Fast access time

-85LL

(Access time)

85ns (Max.)

100ns (Max.)

40µA (Max.)

24µA (Max.)

-10LL

• Low standby current

• Low data retention current

• Single +5V supply: 4.5V to 5.5V.

• Low voltage date retention : 2.0V (Min.)

• Broad package line-up

Block Diagram

CXK582000TM/YM

8mm × 20mm 32 pin

A10

A11

TSOP Package

525mil 32 pin

SOP Package

CXK582000M

VCC

Memory

Matrix

2048 × 1024

A13

Row

Decoder

Buffer

A15

A17

A16

A14

A12

GND

Function

262144 word x 8 bit static RAM

Structure

I /O Gate

Column

Decoder

Silicon gate CMOS IC

Buffer

I /O Buffer

CE1

CE2

I/O1

I/O8

Sony reserves the right to change products and specifications without prior notice. This information does not convey any license by

any implication or otherwise under any patents or other right. Application circuits shown, if any, are typical examples illustrating the

operation of the devices. Sony cannot assume responsibility for any problems arising out of the use of these circuits.

– 1 –

E94234-ST

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CXK582000M-85LL	SONY	获取价格	262144-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM
CXK582000TM	SONY	获取价格	262144-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM
CXK582000TM/YM/M-10LL	ETC	获取价格	262144-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM
CXK582000TM/YM/M-85LL	ETC	获取价格	262144-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM
CXK582000TM-10LL	SONY	获取价格	262144-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM
CXK582000TM-85LL	SONY	获取价格	262144-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM
CXK582000YM	SONY	获取价格	262144-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM
CXK582000YM-10LL	SONY	获取价格	262144-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM
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