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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.79 |
| 最长访问时间： | 120 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 |
| 长度： | 32.1 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2KX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CXK5816PN-12L | ETC |
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x8 SRAM |
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| CXK5816PN-15 | ETC |
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x8 SRAM |
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| CXK5816PN-15L | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| CXK582000M | SONY |
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262144-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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| CXK582000M-10LL | SONY |
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262144-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
|
| CXK582000M-85LL | SONY |
获取价格 |
262144-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
|
| CXK582000TM | SONY |
获取价格 |
262144-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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| CXK582000TM/YM/M-10LL | ETC |
获取价格 |
262144-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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| CXK582000TM/YM/M-85LL | ETC |
获取价格 |
262144-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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| CXK582000TM-10LL | SONY |
获取价格 |
262144-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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