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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP1 |
| 包装说明： | TSSOP, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.39 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 70 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | JESD-609代码： | e6/e4 |
| 长度： | 18.4 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN BISMUTH/PALLADIUM | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CXK581000ATM-70LLX | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| CXK581000ATM-70SL | SONY |
获取价格 |
131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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| CXK581000AYM | SONY |
获取价格 |
131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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| CXK581000AYM-10LL | SONY |
获取价格 |
131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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| CXK581000AYM-10LLB | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| CXK581000AYM-10SL | SONY |
获取价格 |
131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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| CXK581000AYM-55LL | SONY |
获取价格 |
131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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| CXK581000AYM-55LLTL | SONY |
获取价格 |
暂无描述 |
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| CXK581000AYM-55SL | SONY |
获取价格 |
131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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| CXK581000AYM-70LL | SONY |
获取价格 |
131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM |
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