Datasheet > 存储 > SRAM> CXK581000ATM-55SL

CXK581000ATM-55SL

更新时间： 2024-11-25 22:11:39

品牌	Logo	应用领域
索尼 - SONY		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	290K
描述
131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM

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CXK581000ATM-55SL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

CXK581000ATM-55SL 数据手册

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-55LL/70LL/10LL

-55SL/70SL/10SL

CXK581000ATM/AYM/AM/AP

131072-word × 8-bit High Speed CMOS Static RAM

For the availability of this product, please contact the sales office.

Description

CXK581000ATM

CXK581000AYM

The CXK581000ATM/AYM/AM/AP is a high speed

CMOS static RAM organized as 131072-words by

8 bits.

32 pin TSOP (Plastic)

A polysilicon TFT cell technology realized extremely low

stand- by current and higher data retention stability.

Special feature are low power consumption, high

speed and broad package line-up.

The CXK581000ATM/AYM/AM/AP ia a suitable

RAM for portable equipment with battery back up.

CXK581000AM

CXK581000AP

32 pin SOP (Plastic)

32 pin DIP (Plastic)

Features

• Fast access time:

CXK581000ATM/AYM/AM/AP

-55LL/55SL

(Access time)

55ns (Max.)

70ns (Max.)

100ns (Max.)

-70LL/70SL

-10LL/10SL

• Low standby current:

CXK581000ATM/AYM/AM/AP

-55LL/70LL/10LL

Block Diagram

20µA (Max.)

12µA (Max.)

-55SL/70SL/10SL

A10

A11

• Low data retention current

CXK581000ATM/AYM/AM/AP

-55LL/70LL/10LL

A13

VCC

Memory

Matrix

1024 × 1024

Row

Decoder

Buffer

12µA (Max.)

4µA (Max.)

A15

A16

GND

-55SL/70SL/10SL

A14

A12

• Single +5V supply: +5V ±10%

• Low voltage data retention: 2.0V (Min.)

• Broad package line-up

• CXK581000ATM/AYM

I/O Gate

Column

Decoder

Buffer

8mm × 20mm 32 pin TSOP package

• CXK581000AM

• CXK581000AP

525mil 32 pin SOP package

600mil 32 pin DIP package

Buffer

Functions

I/O Buffer

131072-word × 8-bit static RAM

CE1

CE2

I/O 1

I/O 8

Structure

Silicon gate CMOS IC

Sony reserves the right to change products and specifications without prior notice. This information does not convey any license by

any implication or otherwise under any patents or other right. Application circuits shown, if any, are typical examples illustrating the

operation of the devices. Sony cannot assume responsibility for any problems arising out of the use of these circuits.

– 1 –

E92756D53-PP

12 3 4 5 6 7...12

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CXK581000ATM-55SL 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
KM681000ELT-5L	SAMSUNG	功能相似	128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
CXK581000ATM-55LL	SONY	功能相似	131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM
K6T1008C2C-TB55	SAMSUNG	功能相似	128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM

与CXK581000ATM-55SL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CXK581000ATM-70LL	SONY	获取价格	131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM
CXK581000ATM-70LL-TL	SONY	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-32
CXK581000ATM-70LLX	ETC	获取价格	x8 SRAM
CXK581000ATM-70SL	SONY	获取价格	131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM
CXK581000AYM	SONY	获取价格	131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM
CXK581000AYM-10LL	SONY	获取价格	131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM
CXK581000AYM-10LLB	ETC	获取价格	x8 SRAM
CXK581000AYM-10SL	SONY	获取价格	131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM
CXK581000AYM-55LL	SONY	获取价格	131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM
CXK581000AYM-55LLTL	SONY	获取价格	暂无描述

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