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CXE-1089Z

更新时间： 2024-01-28 04:07:59
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威讯 - RFMD /
页数 文件大小 规格书
10页 398K
描述
50MHz to 1200MHz 75Ω pHEMT MMIC LNA

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CXE-1089Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOT-89, 3 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.11其他特性：LOW NOISE
特性阻抗：75 Ω构造：COMPONENT
增益：12.8 dB最大输入功率 (CW)：23 dBm
安装特点：SURFACE MOUNT功能数量：1
端子数量：3最大工作频率：1200 MHz
最小工作频率：50 MHz最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：TO-243电源：5 V
射频/微波设备类型：WIDE BAND LOW POWER子类别：RF/Microwave Amplifiers
表面贴装：YES技术：GAAS
最大电压驻波比：10Base Number Matches：1

CXE-1089Z 数据手册

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CXE-1089Z  
50MHz to  
1200MHz  
75Ω pHEMT  
MMIC LNA  
Preliminary  
CXE-1089Z  
50MHz to 1200MHz 75Ω pHEMT MMIC LNA  
RoHS Compliant and Pb-Free Product  
Package: SOT-89  
Product Description  
Features  
RFMD’s CXE-1089Z is a high performance 75Ω pHEMT MMIC low-noise  
amplifier utilizing a Darlington configuration with active bias. The active  
bias network provides stable current over temperature and process  
threshold voltage variations. The CXE-1089Z amplifier is designed for high  
linearity, low-noise consumer set-top box applications. It is internally  
matched to 75Ω and operates directly from 5V.  
„
„
„
Flat Gain: 13dB+/-0.4dB,  
50MHz to 1000MHz  
Excellent Return Loss:  
>15.5dB  
Low Distortion: CTB=-82dBc,  
CSO=-66dBc  
„
„
Single, Fixed 5V Supply  
On-Chip Active Bias Network  
Optimum Technology  
Matching® Applied  
Gain and Return Loss versus Frequency,  
T=25°C  
Applications  
15.0  
14.0  
13.0  
12.0  
11.0  
10.0  
9.0  
-5  
GaAs HBT  
GaAs MESFET  
InGaP HBT  
SiGe BiCMOS  
Si BiCMOS  
SiGe HBT  
-8  
„
„
„
CATV Set Top Box / Tuners  
CATV Drop Amplifiers  
Optical Rx/Tx  
-11  
-14  
-17  
-20  
-23  
-26  
-29  
-32  
-35  
S21  
S22  
„ FTTH Video Solutions  
GaAs pHEMT  
Si CMOS  
8.0  
9
7.0  
S11  
6.0  
Si BJT  
5.0  
GaN HEMT  
RF MEMS  
0.0  
200.0  
400.0  
600.0  
800.0  
1000.0  
1200.0  
Frequency (MHz)  
Specification  
Parameter  
Unit  
Condition  
Min.  
Typ.  
13.0  
+/-0.4  
18.5  
38.5  
-66.0  
Max.  
Small Signal Gain  
Gain Flatness  
Output Power at 1dB Compression  
Output Third Order Intercept Point  
CSO  
dB  
dB  
dBm  
dBm  
dBc  
500MHz  
50MHz to 1000MHz  
500MHz  
500MHz  
55.25MHz to 745.25MHz, 110Ch, Flat Tilt,  
15dBmV Input  
CTB  
-79.0  
-74.0  
dBc  
dBc  
55.25MHz to 745.25MHz, 110Ch, Flat Tilt,  
15dBmV Input  
55.25MHz to 745.25MHz, 110Ch, Flat Tilt,  
15dBmV Input  
XMOD  
Input Return Loss, Worst Case  
Output Return Loss, Worst Case  
Noise Figure  
16.5  
15.5  
3.0  
dB  
dB  
dB  
50MHz to 1000MHz  
50MHz to 1000MHz  
500MHz  
Device Operating Voltage  
Device Operating Current  
Thermal Resistance  
5.00  
110.0  
57.5  
5.25  
V
mA  
°C/W  
Quiescent  
Junction-to-case  
Test Conditions: V =5V I =110mA Typ.  
OIP Tone Spacing=1MHz, P per tone=8dBm  
D
D
3
OUT  
T =25°C Z =Z =75Ω  
Tested with App Circuit  
L
S
L
RF MICRO DEVICES®, RFMD®, Optimum Technology Matching®, Enabling Wireless Connectivity™, PowerStar®, POLARIS™ TOTAL RADIO™ and UltimateBlue™ are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-  
mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.  
7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical  
support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.  
EDS-105785 Rev D  
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