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CUS357

更新时间： 2024-09-16 14:56:27
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东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
6页 152K
描述
40 V/0.1 A Schottky Barrier Diode, SOD-323(USC)

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CUS357 数据手册

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CUS357  
Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial  
CUS357  
1. Applications  
•
High-Speed Switching  
2. Features  
(1) AEC-Q101 qualified (Note 1)  
(2) Low forward voltage : VF(3) = 0.54 V (typ.)  
(3) Low reverse current : IR(1) = 1µA (max)  
(4) General - purpose USC package , equivalent to SOD-323 and SC-76 packages  
Note 1: For detail information, please contact our sales.  
3. Packaging and Internal Circuit  
1: Cathode  
2: Anode  
USC  
Start of commercial production  
2011-10  
©2023  
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation  
2023-07-08  
Rev.4.0  
1
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CUS357,H3F(T TOSHIBA

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