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CT25ASJ-8

更新时间： 2024-11-07 22:48:55

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三菱 - MITSUBISHI		晶体晶体管双极性晶体管栅
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2页	37K
描述
STROBE FLASHER USE

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CT25ASJ-8 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.25	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	150 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	1.5 V
门极-发射极最大电压：	6 V	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

CT25ASJ-8 数据手册

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

CT25ASJ-8

STROBE FLASHER USE

CT25ASJ-8

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

6.5

0.5 ± 0.1

5.0 ± 0.2

1.0

0.9MAX.

0.5 ± 0.2

0.8

2.3 2.3

w r

q GATE

w COLLECTOR

e EMITTER

r COLLECTOR

¡VCES ................................................................................400V

¡ICM ....................................................................................150A

¡Drive Voltage

VGE=4V

MP-3

¡Small Package

MP-3

APPLICATION

Strobe Flasher.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VCES

VGES

VGEM

ICM

Parameter

Conditions

Ratings

Unit

Collector-emitter voltage

Gate-emitter voltage

VGE = 0V

400

±6

Peak gate-emitter voltage

Collector current (Pulsed)

Junction temperature

Storage temperature

±8

See figure 1

150

–40 ~ +150

°C

Tstg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj = 25°C)

Symbol Parameter

Limits

Typ.

—

Test conditions

Unit

Min.

Max.

—

V(BR)CES Collector-emitter breakdown voltage IC = 1mA, VGE = 0V

450

—

µA

ICES

Collector-emitter leakage current VCE = 400V, VGE = 0V

Gate-emitter leakage current VGE = ±6V, VCE = 0V

Gate-emitter threshold voltage VCE = 10V, IC = 1mA

—

IGES

—

±0.1

1.5

VGE(th)

—

Feb.1999

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