CSC2655

更新时间： 2024-02-26 01:53:41

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3页	96K
描述
COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

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CSC2655 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	2 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	120	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.9 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

CSC2655 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company

COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

CSA1020 PNP

CSC2655 NPN

TO-92

Plastic Package

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL

VALUE

UNIT

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector Emitter Voltage

Collector Base Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

P_C

Collector Power Dissipation

Operating And Storage Junction

Temperature Range

900

ºC

T_j, T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

min

typ

max

UNIT

BV_CEO

I_CBO

I_EBO

I_C=10mA,I_B=0

Collector Emitter Voltage

Collector Cut off Current

Emitter Cut off Current

DC Current Gain

V_CB=50V, I_E= 0

V_EB=5V, I_C= 0

µA

1.0

240

h_FE

V_CE=2V,I_C=500mA *

V_CE=2V,I_C=1.5A

I_C=1A, I_B=50mA

V_CE(sat)

V_BE(sat)

Collector Emitter Saturation

Voltage

0.5

I_C=1A, I_B=50mA

Base Emitter Saturation Voltage

1.2

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

f_T

I_C=500mA, V_CE=2V

I_E=0, V_CB=10V,f=1MHz

PNP

100

MHz

C_ob

_PF

NPN

Switching Time

Turn on Time

Storage Time

Fall Time

t_on

t_stg

t_f

V_CC=30V, I_B1=I_B2=

50mA, R_L=30Ω

Duty Cycle=1%

0.1

1.0

0.1

Classification

h_FE*

70 - 140

120 - 240

Continental Device India Limited

Data Sheet

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