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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CSB772P
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CSB772P

更新时间： 2024-09-20 22:28:47
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CDIL 晶体小信号双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 137K
描述
Audio Frequency Power Amplifier and Low Speed Switching

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CSB772P 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：SIP
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.69
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：160
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：10 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

CSB772P 数据手册

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Continental Device India Limited  
An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company  
PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR  
CSB772  
TO126  
Plastic Package  
E
C
B
Complementary CSD882  
Audio Frequency Power Amplifier and Low Speed Switching  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25ºC unless specified otherwise)  
DESCRIPTION  
Collector Base Voltage(open emitter)  
Collector Emitter Voltage (open base)  
SYMBOL  
VCBO  
VALUE  
>40  
>30  
UNIT  
V
V
VCEO  
VEBO  
IC  
IC  
IB  
Ptot  
Ptot  
Emitter Base Voltage(open collector)  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse) (1)  
Base Current (DC)  
Total Power Dissipation@ Tc=25ºC  
Total Power Dissipation@ Ta=25ºC  
>5.0  
<3.0  
<7  
<0.6  
<10  
<1.0  
V
A
A
A
W
W
ºC  
ºC  
Tj  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
<150  
Tstg  
-65 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC unless specified otherwise)  
DESCRIPTION  
SYMBOL TEST CONDITION  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
µA  
ICBO  
IE =0, VCB =30V  
Collector-Cut off Current  
1.0  
µA  
IEBO  
VEB =3V, IC =0  
Emitter cut off Current  
Breakdown Voltages  
1.0  
VCEO  
VCBO  
IC =1mA, IB =0  
IC =1mA, IE =0  
IC =0, IE =1mA  
IC=2A, IB=0.2A  
30  
40  
5
V
V
V
V
V
VEBO  
CE (sat)*  
VBE (sat)*  
Saturation Voltages  
DC Current Gain  
0.5  
2.0  
V
IC=2A, IB=0.2A  
hFE*  
hFE*  
IC=20mA,VCE=2V  
IC=1.0A,VCE=2V**  
30  
60  
400  
CO  
fT  
IE =0, VCB =10V  
IC=0.1A, VCE=5V  
Output Capacitance at f=1MHz  
Transition Frequency  
55  
80  
pF  
MHz  
* Pulse test : pulse width < 350µs, Duty cycle < 2%  
(1) PW = 10ms, Duty Cycle < 50%  
**hFE classification : R :60-120 Q :100-200 P: 160-320 E: 200-400  
Continental Device India Limited  
Data Sheet  
Page 1 of 3  
123

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