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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CSB507C
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CSB507C

更新时间： 2024-11-08 03:26:59
品牌 Logo 应用领域
CDIL 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 129K
描述
PNP / NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR

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CSB507C 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：SFM
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.27外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：8 MHz
Base Number Matches：1

CSB507C 数据手册

 浏览型号CSB507C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CSB507C的Datasheet PDF文件第3页 
Continental Device India Limited  
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company  
TO-220 Plastic Package  
CSB507, CSD313  
CSB507  
CSD313  
PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR  
NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR  
Low frequency Power Amplifier Applications  
PIN CONFIGURATION  
1. BASE  
4
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
4. COLLECTOR  
1
2
3
C
E
DIM  
MIN.  
MAX.  
B
F
A
B
C
D
E
14.42  
9.63  
3.56  
16.51  
10.67  
4.83  
0.90  
1.40  
3.88  
2.79  
3.43  
0.56  
14.73  
4.07  
2.92  
31.24  
1.15  
3.75  
2.29  
2.54  
1
2
3
F
G
H
J
K
L
M
N
O
12.70  
2.80  
2.03  
J
D
G
M
DEG 7  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Collector-base voltage (open emitter)  
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current  
V
V
max.  
max.  
max.  
max.  
max.  
60 V  
60 V  
3.0 A  
30 W  
150 °C  
CBO  
CEO  
I
C
Total power dissipation up to T = 25°C  
P
C
tot  
Junction temperature  
T
j
Collector-emitter saturation voltage  
I
C
= 2A; I = 0.2A  
V
CEsat  
max.  
1.0 V  
B
D.C. current gain  
= 1A; V  
I
= 2V  
h
FE  
min  
40  
C
CE  
max.  
320  
RATINGS (at T =25°C unless otherwise specified)  
A
Limiting values  
Collector-base voltage (open emitter)  
Collector-emitter voltage (open base)  
Emitter-base voltage (open collector)  
V
V
V
max.  
max.  
max.  
60 V  
60 V  
5.0 V  
CBO  
CEO  
EBO  
Continental Device India Limited  
Data Sheet  
Page 1 of 3  
123

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与CSB507C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSB507D CDIL

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 		PNP / NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR
CSB507E CDIL

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 		PNP / NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR
CSB507F CDIL

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 		PNP / NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR
CSB50C1-29.000MHZ CALIBER

获取价格

 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 29MHz Nom, HC49/US, SMD, 2 PIN
CSB50C1-30.000MHZ CALIBER

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 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 30MHz Nom, HC49/US, SMD, 2 PIN
CSB50C1-4.999MHZ CALIBER

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 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 4.999MHz Nom, HC49/US, SMD, 2 PIN
CSB50C1-8.999MHZ CALIBER

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 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 8.999MHz Nom, HC49/US, SMD, 2 PIN
CSB50E1-6.000MHZ CALIBER

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 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 6MHz Nom, HC49/US, SMD, 2 PIN
CSB51138 ETC

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 		Optoelectronic

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