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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> CS92-2N
CS92-2N PDF预览

CS92-2N

更新时间： 2024-10-29 03:26:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
2页 73K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER 2.0 AMP, 600 THRU 800 VOLTS

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CS92-2N 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.64Is Samacsys：N
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：10 V/us
最大直流栅极触发电流：0.2 mA最大直流栅极触发电压：0.8 V
最大维持电流：2 mAJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-W3JESD-609代码：e0
最大漏电流：0.1 mA通态非重复峰值电流：10 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：2000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：2 A断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

CS92-2N 数据手册

 浏览型号CS92-2N的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CS92-2M  
CS92-2N*  
Semiconductor Corp.  
SILICON CONTROLLED RECTIFIER  
2.0 AMP, 600 THRU 800 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CS92-2M  
and CS92-2N are epoxy molded Silicon  
Controlled Rectifiers designed for sensing circuit  
applications and control systems.  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
TO-92 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
CS92-2M  
CS92-2N*  
UNITS  
V
A
A
A2s  
W
W
A
V
°C  
°C  
°C/W  
°C/W  
Peak Repetitive Off-State Voltage  
V
V
600  
800  
DRM, RRM  
RMS On-State Current (T =60°C)  
I
I
2.0  
10  
C
T(RMS)  
TSM  
Peak One Cycle Surge (t=10ms)  
I2t Value for Fusing (t=10ms)  
Peak Gate Power (tp=10µs)  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current (tp=10µs)  
Peak Gate Voltage (tp=10µs)  
Storage Temperature  
I2t  
0.24  
2.0  
0.1  
1.0  
8.0  
P
P
I
GM  
G (AV)  
GM  
V
T
T
Θ
Θ
GM  
stg  
J
-40 to +150  
-40 to +125  
200  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
Thermal Resistance  
JA  
JC  
100  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
20  
MAX  
10  
100  
200  
2.0  
UNITS  
µA  
µA  
µA  
mA  
V
I
I
I
I
V
V
I
I
Rated V  
Rated V  
V
V
R
=1KΩ  
=1KΩ, T =125°C  
DRM, RRM  
DRM, RRM, GK  
R
DRM, RRM  
DRM, RRM, GK  
C
V =12V  
GT  
H
GT  
TM  
D
I =100mA, R =1KΩ  
T
D
TM  
GK  
V =12V  
I
0.8  
1.7  
=4.0A, tp=380µs  
2
1.4  
V
V/µs  
dv/dt  
V = / V  
R
=1KΩ, T =125°C  
10  
3
D
DRM, GK  
C
* Available on request. Please consult factory.  
R0 (22-April 2004)  
12

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