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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> CS65-70N
CS65-70N PDF预览

CS65-70N

更新时间： 2024-09-25 03:26:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 可控硅
页数 文件大小 规格书
2页 80K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER 70 AMPS RMS, 200 THRU 1200 VOLTS

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CS65-70N 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-65
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.09外壳连接：ANODE
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：100 mA
最大直流栅极触发电压：3 V最大维持电流：200 mA
JEDEC-95代码：TO-65JESD-30 代码：O-MUPM-D2
JESD-609代码：e0通态非重复峰值电流：1000 A
元件数量：1端子数量：2
最大通态电流：70000 A封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：63 A断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

CS65-70N 数据手册

 浏览型号CS65-70N的Datasheet PDF文件第2页 
DATA SHEET  
CS65-70B  
CS65-70D  
CS65-70M  
CS65-70N  
CS65-70P  
CS65-70PB  
SILICON CONTROLLED RECTIFIER  
70 AMPS RMS, 200 THRU 1200 VOLTS  
TO-65 CASE  
DESCRIPTION  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CS65-70B series types are High Power Silicon Controlled Rectifiers designed for  
phase control applications.  
MAXIMUM RATINGS (T =25°C unless otherwise noted)  
A
CS65 CS65 CS65 CS65  
-70B -70D -70M -70N  
CS65 CS65  
SYMBOL  
-70P -70PB UNITS  
Peak Repetitive Off-State Voltage  
Peak Non-Repetitive Reverse Voltage  
V
V
I
I
I
, V  
200  
300  
400  
500  
600  
700  
800 1000 1200  
900 1100 1300  
V
V
A
A
A
DRM RRM  
RSM  
T(RMS)  
T(AV)  
TSM  
RMS On-State Current (T =102°C)  
63  
40  
C
Average On-State Current (T =102°C)  
C
Peak One Cycle Surge ( 60Hz)  
1000  
4100  
I2t Value for Fusing (t=8.3ms)  
I2t  
A2s  
Peak Forward Gate Voltage  
V
V
P
P
20  
10  
10  
V
FGM  
RGM  
GM  
Peak Reverse Gate Voltage  
Peak Gate Power  
Average Gate Power (tp=10µs)  
Peak Gate Current  
V
W
W
A
1.0  
3.0  
200  
G(AV)  
GM  
I
Critical Rate of Rise of On-State Current  
di/dt  
A/µs  
Storage Temperature  
T
T
-65 to +150  
-65 to +125  
0.35  
°C  
stg  
J
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
°C  
°C/W  
Θ
J-C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
I
I
V
V
, I  
Rated V  
, V  
V =12V, R =33Ω  
, T =125°C  
6.0  
100  
200  
3.0  
mA  
mA  
mA  
V
V
V/µs  
DRM RRM  
GT  
H
GT  
TM  
DRM RRM  
C
D
L
I =500mA  
T
V =12V, R =33Ω  
D
L
I
=500A  
3.0  
TM  
dv/dt  
V =.67 x V  
, T =125°C  
200  
D
DRM  
C
(SEE REVERSE SIDE)  
R2  
12

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与CS65-70N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CS65-70NLEADFREE CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-65, TO-
CS65-70P CENTRAL

获取价格

 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER 70 AMPS RMS, 200 THRU 1200 VOLTS
CS65-70PB CENTRAL

获取价格

 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER 70 AMPS RMS, 200 THRU 1200 VOLTS
CS65-70PBLEADFREE CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-65, T
CS65-70PLEADFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CS65-70PTIN/LEAD CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier,
CS65-B2GA101KAGKA TDK

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 		CAP CER 100PF 300V RADIAL
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CS65-B2GA101KYGKA TDK

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 		圆板型带导线电容器(中高压陶瓷电容器)

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