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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> CS60-12IO1
CS60-12IO1 PDF预览

CS60-12IO1

更新时间： 2024-02-28 10:25:00
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
Phase Control Thyristor

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CS60-12IO1 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Transferred
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：7.3Is Samacsys：N
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：100 mA最大直流栅极触发电压：1.6 V
最大维持电流：200 mAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e1最大漏电流：10 mA
通态非重复峰值电流：1500 A元件数量：1
端子数量：3最大通态电流：48000 A
最高工作温度：140 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：75 A
断态重复峰值电压：1200 V重复峰值反向电压：1200 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

CS60-12IO1 数据手册

 浏览型号CS60-12IO1的Datasheet PDF文件第2页 
CS 60  
Phase Control Thyristor  
VRRM = 1200-1600 V  
IT(RMS) = 75 A  
IT(AV)M = 48 A  
Preliminary Data Sheet  
PLUS247  
VRSM  
VDSM  
VRRM  
VDRM  
Type  
A
C
C
A
G
V
V
G
A (TAB)  
1300  
1500  
1700  
1200 CS 60-12io1  
1400 CS 60-14io1  
1600 CS 60-16io1  
C = Cathode, A = Anode, G = Gate  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
IT(RMS)  
IT(AV)M  
TVJ = TVJM  
TC = 105°C; 180° sine  
(lead current limit)  
75  
48  
A
A
z
Thyristor for line frequency  
International standard package  
z
JEDEC TO-247  
Planar passivated chip  
Long-term stability of blocking  
currents and voltages  
ITSM  
TVJ = 45°C;  
VR = 0 V  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1500  
1600  
A
A
z
z
TVJ = TVJM  
VR = 0 V  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1350  
1450  
A
A
i2t  
TVJ = 45°C  
VR = 0 V  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
11,200  
10,750  
A2s  
A2s  
Applications  
TVJ = TVJM  
VR = 0 V  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
9100  
8830  
A2s  
A2s  
z
Motor control  
Power converter  
AC power controller  
Switch-mode and resonant mode  
z
(di/dt)cr  
TVJ = TVJM  
repetitive, IT = 60 A  
150  
A/µs  
z
f = 50Hz, tP =200µs  
VD = 2/3 VDRM  
IG = 0.3 A  
z
power supplies  
Light and temperature control  
non repetitive, IT = IT(AV)M  
VDR = 2/3 VDRM  
500  
A/µs  
V/µs  
z
diG/dt = 0.3 A/µs  
(dv/dt)cr  
PGM  
TVJ = TVJM  
;
1000  
RGK = ∞; method 1 (linear voltage rise)  
Advantages  
TVJ = TVJM  
IT = IT(AV)M  
tP = 30 µs  
tP = 300 µs  
10  
5
0.5  
W
W
W
z
Easy to mount  
Space and weight savings  
z
PG(AV)  
VRGM  
z
Simple mounting  
10  
V
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+140  
140  
-40...+125  
°C  
°C  
°C  
FC  
Mounting Force  
20...120/4.5...27  
6
N/lbs  
g
Weight  
Data according to IEC 60747  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
98811A (1/03)  
© 2003 IXYS All rights reserved  
12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
CS60-14IO1 IXYS Phase Control Thyristor

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CS60-14IO1 LITTELFUSE Silicon Controlled Rectifier, 75A I(T)RMS, 48000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Ele

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