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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-92 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | 标称电路换相断开时间： | 8 µs |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 50 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.02 mA | 最大直流栅极触发电压： | 0.8 V |
| 最大维持电流： | 5 mA | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大漏电流： | 0.05 mA | 通态非重复峰值电流： | 6 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最大通态电流： | 800 A | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 0.8 A | 断态重复峰值电压： | 200 V |
| 重复峰值反向电压： | 200 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CS55BZPBFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| CS55D | CENTRAL |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER 0.8 AMPS, 200 AND 400 VOLTS |
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| CS55DLEADFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-92, TO |
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| CS55DPBFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, |
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| CS55DTIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, |
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| CS55DZ | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER 0.8 AMPS, 200 AND 400 VOLTS |
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| CS55DZTIN/LEAD | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, |
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| CS55N06A3 | CRMICRO |
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TO-251 |
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| CS55N06A4 | CRMICRO |
获取价格 |
TO-252(或DPAK) |
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| CS55N06AQ3-G | CRMICRO |
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PDFN5×6 |
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