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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> CS220-8N
CS220-8N PDF预览

CS220-8N

更新时间： 2024-09-26 22:40:19
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 73K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER 8.0 AMP, 200 THRU 800 VOLTS

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CS220-8N 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.7外壳连接：ANODE
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：15 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：30 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0通态非重复峰值电流：90 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：8000 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：8 A断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

CS220-8N 数据手册

 浏览型号CS220-8N的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CS220-8B  
CS220-8D  
CS220-8M  
CS220-8N  
Central  
Semiconductor Corp.  
SILICON CONTROLLED RECTIFIER  
8.0 AMP, 200 THRU 800 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CS220-8B  
series type is an Epoxy Molded Silicon Controlled  
Rectifier designed for sensing circuit applications  
and control systems.  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
TO-220 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
CS220 CS220 CS220 CS220  
-8B  
-8D  
-8M  
-8N  
UNITS  
V
A
A
A2s  
Peak Repetitive Off-State Voltage  
V
V
200  
400  
600  
800  
DRM, RRM  
RMS On-State Current (T =90°C)  
I
I
8.0  
60  
18  
C
T(RMS)  
TSM  
Peak One Cycle Surge (t=10ms)  
I2t Value for Fusing (t=10ms)  
Peak Gate Power (tp=10µs)  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Forward Gate Current (tp=10µs)  
Peak Forward Gate Voltage (tp=10µs)  
Peak Reverse Gate Voltage (tp=10µs)  
Critical Rate of Rise of On-State Current  
Storage Temperature  
I2t  
P
P
I
V
V
di/dt  
40  
W
W
A
V
V
A/µs  
°C  
°C  
°C/W  
°C/W  
GM  
G (AV)  
FGM  
FGM  
RGM  
1.0  
4.0  
16  
5.0  
50  
T
T
Θ
Θ
-40 to +150  
-40 to +125  
60  
stg  
J
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
Thermal Resistance  
JA  
JC  
2.5  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
10  
2.0  
15  
20  
1.5  
1.8  
UNITS  
µA  
mA  
mA  
mA  
V
I
I
I
I
V
V
I
I
Rated V  
Rated V  
V
DRM, RRM  
DRM, RRM  
, V  
, T =125°C  
DRM, RRM  
DRM RRM  
C
V =12V, R =10Ω  
3.0  
7.3  
0.9  
1.3  
GT  
H
GT  
TM  
D
L
I =100mA  
T
V =12V, R =10Ω  
D
L
I
=16A, tp=380µs  
2
V
V/µs  
TM  
dv/dt  
V = / V  
, T =125°C  
200  
3
D
DRM  
C
R3 (24-September 2004)  
12

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CS220-8N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TYN808 STMICROELECTRONICS

功能相似

 Silicon controlled rectifiers
MCR8N ONSEMI

功能相似

 Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors
MCR8SN ONSEMI

功能相似

 Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors

与CS220-8N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CS220-8NLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, P
CS220-8NPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier,
CS-220-K PREMO

获取价格

 		Coils and Chokes for general use
CS22-100KD0016 VISHAY

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 		Single Value Chip Resistor
CS22-100KF0016 VISHAY

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