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CS218-35N

更新时间: 2024-01-21 20:08:03
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CENTRAL 可控硅
页数 文件大小 规格书
2页 111K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER 35 AMP, 200 THRU 1200 VOLTS

CS218-35N 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84外壳连接:ANODE
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:50 mA
JEDEC-95代码:TO-218JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:35 A断态重复峰值电压:1000 V
重复峰值反向电压:1000 V表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN (315)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

CS218-35N 数据手册

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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

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