5秒后页面跳转
CS112-12IO8 PDF预览

CS112-12IO8

更新时间: 2024-01-09 05:55:12
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 190K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 220A I(T)RMS, 124000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC

CS112-12IO8 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.74Is Samacsys:N
外壳连接:ANODE标称电路换相断开时间:150 µs
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:1000 V/us
最大直流栅极触发电流:150 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:200 mAJEDEC-95代码:TO-209AC
JESD-30 代码:O-MUPM-H3最大漏电流:15 mA
通态非重复峰值电流:2700 A元件数量:1
端子数量:3最大通态电流:124000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-45 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:220 A断态重复峰值电压:1200 V
重复峰值反向电压:1200 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

CS112-12IO8 数据手册

  

与CS112-12IO8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CS-11214 BUD

获取价格

CHAMPION SERIES
CS1121-4 ETC

获取价格

Optoelectronic
CS112-14IO8 ETC

获取价格

CS-11216 BUD

获取价格

CHAMPION SERIES
CS112-16IO8 NAINA

获取价格

Phase Control Thyristors, 125A
CS112-16IO8 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 220A I(T)RMS, 124000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 E
CS1121C4C ETC

获取价格

Optoelectronic
CS-11230 BUD

获取价格

SLIMCAB SERIES MOUNTING BRACKETS
CS1124 ONSEMI

获取价格

Dual Variable−Reluctance Sensor Interface I
CS1124/D ETC

获取价格

Dual Variable-Reluctance Sensor Interface IC