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CRVT300

更新时间： 2024-11-21 03:26:55
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2页 43K
描述
HIGH VOLTAGE SILICON RECTIFIERS

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CRVT300 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.71外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：48 V
JESD-30 代码：O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流：3 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.025 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30000 V
最大反向恢复时间：0.1 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

CRVT300 数据手册

 浏览型号CRVT300的Datasheet PDF文件第2页 
CRVT  
HIGH VOLTAGE  
SILICON RECTIFIERS  
SMALL SIZE MOLDED PACKAGE  
PRV 15,000 TO 30,000 VOLTS  
FAST RECOVERY  
AVALANCHE CHARACTERISTICS  
LOW LEAKAGE  
EDI  
PRV  
REVERSE RECOVERY TIME  
MAXIMUM FORW ARD  
VOLTAGE DROP  
@25mA  
o
(Volts)  
Type  
IN NANOSECONDS @25 C  
(Fig.4)  
100  
35 Volts  
CRVT 150  
15,000  
CRVT 200  
20,000  
100  
35 Volts  
35 Volts  
48 Volts  
25,000  
CRVT 250  
CRVT 300  
100  
100  
30,000  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T =25 C Unless Otherwise Specified)  
A
o
(Fig.1)  
Average Rectified Forward Current @ 75 C,  
25 mA  
3 Amp  
(8.3ms) (Fig.2)  
Max Peak Surge Current  
o
C
Max DC Reverse Current @ PRV and 25  
1
A
o
A
C
Max DC Reverse Current @ PRV and 100  
25  
o
o
Ambient Operating Temperature Range  
-55 C to +125 C  
o
o
-55 C to +150 C  
Storage Temperature Range  
NOTES:  
1.It is recommended that a proper heat sink be used on the terminals of this device between the body and  
soldering point to prevent damage from excess heat.  
2.If operated over 10,000v/inch in length, devices should be immersed in oil or re - encapsulated.  
EDI reserves the right to change these specifications at any time without notice.  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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