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CRSQ23N10N4Z

更新时间: 2024-11-20 17:01:59
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华润微 - CRMICRO /
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10页 545K
描述
TO-247

CRSQ23N10N4Z 数据手册

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CRSQ023N10N4Z  
华润微电子(重庆)有限公司  
SkyMOS4ꢀNꢁMOSFETꢀ100V,ꢀ2.2mꢂ,ꢀ250A  
Features  
Product Summary  
VDS  
100V  
•ꢀUsesꢀCRM(CQ)ꢀadvancedꢀSkyMOS4ꢀtechnology  
•ꢀExtremelyꢀlowꢀonꢁresistanceꢀRDS(on)  
•ꢀExcellentꢀQgxRDS(on)ꢀproduct(FOM)  
•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀcriteria  
RDS(on).typ  
IDꢀ  
2.2mꢂ  
250A  
100% DVDS Tested  
100% Avalanche Tested  
Applications  
ꢀ•ꢀMotorꢀcontrolꢀandꢀdrive  
ꢀ•ꢀBatteryꢀmanagementꢀSystem  
ꢀ•ꢀUPSꢀ(UninterrupibleꢀPowerꢀSupplies)  
Package Marking and Ordering Information  
Partꢀ#  
Marking  
Package  
TOꢁ247ꢀ  
Packing  
Tube  
ReelꢀSize TapeꢀWidth  
Qty  
CRSQ023N10N4Z CRSQ023N10N4Z  
N/A  
N/A  
25/30pcs  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
VDS  
Drainꢁsourceꢀvoltage  
100  
V
Continuousꢀdrainꢀcurrent  
TCꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Siliconꢀlimit)  
TCꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Packageꢀlimit)  
TCꢀ=ꢀ100°Cꢀ(Siliconꢀlimit)  
270ꢀ  
250ꢀ  
ID  
A
170ꢀ  
Pulsedꢀdrainꢀcurrentꢀ(TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀtpꢀlimitedꢀbyꢀTjmax  
)
IDꢀpulse  
EAS  
1000ꢀ  
500ꢀ  
A
mJ  
V
Avalancheꢀenergy,ꢀsingleꢀpulseꢀ(I  
GateꢁSourceꢀvoltage  
D
ꢀ=ꢀ44A,ꢀRg=25)[1]  
VGS  
±20  
Powerꢀdissipationꢀ(TCꢀ=ꢀ25°C)  
Ptot  
298ꢀ  
W
°C  
Tjꢀ,ꢀT stg  
Operatingꢀjunctionꢀandꢀstorageꢀtemperature  
ꢁ55...+150  
Solderingꢀtemperature,ꢀwaveꢀsolderingꢀonlyꢀallowedꢀatꢀleadsꢀ  
(1.6mmꢀfromꢀcaseꢀforꢀ10s)  
Tsold  
260  
°C  
.ꢀNotes:  
1.EASꢀisꢀtestedꢀatꢀstartingꢀTjꢀ=ꢀ25,ꢀLꢀ=ꢀ0.5mH,ꢀIASꢀ=44.6A,ꢀVGSꢀ=ꢀ10V.ꢀ  
2.Repetitiveꢀrating,ꢀpulseꢀwidthꢀlimitedꢀbyꢀjunctionꢀtemperatureꢀTJ(MAX)=150°C.ꢀRatingsꢀareꢀbasedꢀonꢀlowꢀ  
frequencyꢀandꢀdutyꢀcyclesꢀtoꢀkeepꢀinitialꢀTJꢀ=25°C.  
Rev 1.0  
©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited  
Page 1  

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