Datasheet > CRSQ190N20N3

CRSQ190N20N3

更新时间： 2024-11-20 15:18:47

品牌	Logo	应用领域
华润微 - CRMICRO		/
页数	文件大小	规格书
9页	1344K
描述
TO-247

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CRSQ190N20N3 数据手册

CRSQ190N20N3

SkyMOS3 N-MOSFET 200V, 16.5mΩ, 65A

华润微电子(重庆)有限公司

Features

Product Summary

V_DS

200V

• Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS3 technology

• Extremely low on-resistance RDS(on)

• Excellent QgxRDS(on) product(FOM)

• Qualified according to JEDEC criteria

R_DS(on)

I_D

16.5mΩ

65A

100% Avalanche Tested

100% DVDS Tested

Applications

• Motor control and drive

• Battery management

• UPS (Uninterrupible Power Supplies)

CRSQ190N20N3

Package Marking and Ordering Information

Part #

Marking

Package

TO-247

Reel Size

N/A

Tape Width

N/A

Qty

Packing

Tube

CRSQ190N20N3

30pcs

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drain-source voltage

200

Continuous drain current

T_C= 25°C (Silicon limit)

T_C= 25°C (Package limit)

T_C= 100°C (Silicon limit)

160

I_D

Pulsed drain current (T_C= 25°C, t_plimited by T_jmax

)

I_{D pulse}

E_AS

272

121

Avalanche energy, single pulse (L=0.5mH, Rg=25Ω)^[1]

Gate-Source voltage

V_GS

±20

Power dissipation (T_C= 25°C)

P_tot

216

°C

T_j, T _stg

Operating junction and storage temperature

-55...+150

※. Notes:1.EAS is tested at starting Tj = 25℃, L = 0.5mH, IAS = 22A, Vgs=10V.

Rev 1.0

©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

Page 1

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与CRSQ190N20N3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CRSQ23N10N4Z	CRMICRO	获取价格	TO-247
CRSQP023N10N4Z	CRMICRO	获取价格	TO-247PLUS
CRSQP23N10N4Z	CRMICRO	获取价格	TO-247PLUS
CRSS020N08N3Z	CRMICRO	获取价格	TO-263(或D2PAK)
CRSS022N10N4	CRMICRO	获取价格	TO-263(或D2PAK)
CRSS023N08N	CRMICRO	获取价格	TO-263(或D2PAK)
CRSS028N10N	CRMICRO	获取价格	TO-263(或D2PAK)
CRSS028N10NZ	CRMICRO	获取价格	TO-263(或D2PAK)
CRSS031N08N	CRMICRO	获取价格	TO-263(或D2PAK)
CRSS033N12N3Z	CRMICRO	获取价格	TO-263(或D2PAK)