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CR3-005GPPTR PDF预览

CR3-005GPPTR

更新时间： 2024-11-25 12:59:39
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 253K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

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CR3-005GPPTR 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.6其他特性：HIGH RELIABILITY
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.2 V
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：50 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CR3-005GPPTR 数据手册

 浏览型号CR3-005GPPTR的Datasheet PDF文件第2页 
CR3-005GPP SERIES  
GLASS PASSIVATED JUNCTION  
GENERAL PURPOSE  
SILICON RECTIFIER  
3 AMP, 50 THRU 1200 VOLTS  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CR3-005GPP  
Series types are 3.0 Amp Glass Passivated Junction  
Silicon Rectifiers which are high quality, well  
constructed, highly reliable components designed  
for use in all types of military, commercial, industrial,  
entertainment, computer, and automotive applications.  
THIS DEVICE IS MANUFACTURED WITH A GLASS  
PASSIVATED CHIP FOR OPTIMUM RELIABILITY.  
DO-201AD CASE  
MARKING: FULL PART NUMBER  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
CR3 CR3 CR3 CR3 CR3 CR3 CR3 CR3  
-005 -010 -020 -040 -060 -080 -100 -120  
SYMBOL GPP GPP GPP GPP GPP GPP GPP GPP UNITS  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
50  
50  
35  
100  
100  
70  
200  
200  
140  
400  
400  
280  
600  
600  
420  
800 1000 1200  
V
V
V
A
A
RRM  
V
800 1000 1200  
R
RMS Reverse Voltage  
V
560  
700  
840  
R(RMS)  
Average Forward Current (T =55°C)  
A
Peak Forward Surge Current  
I
3.0  
O
I
150  
FSM  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
T , T  
stg  
-65 to +150  
20  
°C  
J
Thermal Resistance  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
V =Rated V  
5.0  
µA  
µA  
V
R
R
RRM  
RRM  
I
V =Rated V  
, T =100°C  
100  
1.2  
50  
R
R
A
V
I =3.0A  
F
F
C
V =4.0V, f=1.0MHz  
30  
pF  
J
R
R4 (24-October 2011)  
12

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与CR3-005GPPTR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CR3-005PBFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CR3-005TR CENTRAL

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
CR301 DIODES

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 50V V(RRM),
CR3-010 CENTRAL

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 		GLASS PASSIVATED JUNCTION GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER 3 AMP, 50 THRU 1200 VOLTS
CR3-010BK CENTRAL

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CR3-010BKLEADFREE CENTRAL

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
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