CR04AM-12

更新时间： 2024-10-19 06:48:35

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瑞萨 - RENESAS		/
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Thyristor Low Power Use

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CR04AM-12 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.15	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	0.1 mA	最大直流栅极触发电压：	0.8 V
最大维持电流：	3 mA	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	最大漏电流：	0.5 mA
通态非重复峰值电流：	10 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	400 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	0.63 A	断态重复峰值电压：	600 V
重复峰值反向电压：	600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

CR04AM-12 数据手册

CR04AM-12

Thyristor

Low Power Use

REJ03G0354-0200

Rev.2.00

Mar.01.2005

Features

•

I_{T (AV)}: 0.4 A

V_DRM: 600 V

•

Glass Passivation Type

_GT: 100 µA

Outline

PRSS0003EA-A

(Package name: TO-92)

1. Cathode

2. Anode

3. Gate

Applications

Igniter, solid state relay, strobe flasher, circuit breaker, and other general purpose control applications

Maximum Ratings

Voltage class

Parameter

Symbol

Unit

Repetitive peak reverse voltage

Non-repetitive peak reverse voltage

DC reverse voltage

Repetitive peak off-state voltage^Note1

DC off-state voltage^Note1

V_RRM

V_RSM

600

720

480

600

480

V_{R (DC)}

V_DRM

V_{D (DC)}

Rev.2.00, Mar.01.2005, page 1 of 7

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