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CQDD-16NTR13LEADFREE

更新时间： 2024-11-26 14:48:35
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅三端双向交流开关栅极
页数 文件大小 规格书
2页 399K
描述
TRIAC, 800V V(DRM), 16A I(T)RMS,

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CQDD-16NTR13LEADFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.78关态电压最小值的临界上升速率：10 V/us
最大直流栅极触发电流：75 mA最大直流栅极触发电压：2.5 V
最大维持电流：25 mA最大漏电流：2 mA
最大通态电压：1.6 V最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C最大均方根通态电流：16 A
断态重复峰值电压：800 V子类别：TRIACs
表面贴装：YES触发设备类型：TRIAC
Base Number Matches：1

CQDD-16NTR13LEADFREE 数据手册

 浏览型号CQDD-16NTR13LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CQDD-16M  
CQDD-16N  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
16 AMP SILICON TRIAC  
600 THRU 800 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQDD-16M series  
type is an Epoxy Molded Silicon Triac designed for full  
wave AC control applications featuring gate triggering  
in all four (4) quadrants.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
D2PAK CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted) SYMBOL  
CQDD-16M  
CQDD-16N UNITS  
C
Peak Repetitive Off-State Voltage  
V
600  
800  
V
A
DRM  
RMS On-State Current (T =90°C)  
C
I
16  
110  
50  
T(RMS)  
Peak One Cycle Surge, t=8.3ms  
I2t Value for Fusing, t=8.3ms  
Peak Gate Power, tp=10μs  
I
A
A2s  
TSM  
I2t  
P
40  
W
GM  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current, tp=10μs  
Peak Gate Voltage, tp=10μs  
Critical Rate of Rise of On-State Current Repetitive, f=60Hz  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
P
1.0  
6.0  
16  
W
G(AV)  
I
A
GM  
V
V
GM  
di/dt  
10  
A/μs  
°C  
T
-40 to +125  
-40 to +150  
60  
J
T
°C  
stg  
Thermal Resistance  
Θ
°C/W  
°C/W  
JA  
JC  
Thermal Resistance  
Θ
2.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
10  
UNITS  
μA  
I
I
I
I
I
Rated V  
Rated V  
DRM  
DRM  
GT  
DRM  
, T =125°C  
2.0  
mA  
mA  
mA  
mA  
V
DRM  
C
V =12V, R =10Ω, QUAD I, II, III  
10.9  
55.2  
9.8  
25  
D
L
V =12V, R =10Ω, QUAD IV  
75  
GT  
D
L
I =100mA  
25  
H
T
V
V
V
V =12V, R =10Ω, QUAD I, II, III  
0.97  
1.51  
1.35  
1.50  
2.50  
1.60  
GT  
GT  
TM  
D
L
V =12V, R =10Ω, QUAD IV  
V
D
L
I
=22.5A, tp=380μs  
2
V
TM  
dv/dt  
V = / V  
, R =∞, T =125°C  
10  
V/μs  
3
D
DRM GK  
C
R2 (12-February 2010)  
12

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与CQDD-16NTR13LEADFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CQDD-25M CENTRAL

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 		25 AMP TRIAC 600 THRU 800 VOLTS
CQDD-25M_10 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT 25 AMP SILICON TRIAC 600 THRU 800 VOLTS
CQDD-25MBKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		TRIAC, 600V V(DRM), 25A I(T)RMS,
CQDD-25MBKPBFREE CENTRAL

获取价格

 		TRIAC, 600V V(DRM), 25A I(T)RMS,
CQDD-25MLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		4 Quadrant Logic Level TRIAC, 600V V(DRM), 25A I(T)RMS, PLASTIC, D2PAK-3
CQDD-25MPBFREE CENTRAL

获取价格

 		4 Quadrant Logic Level TRIAC,
CQDD-25MTR13 CENTRAL

获取价格

 		4 Quadrant Logic Level TRIAC, 600V V(DRM), 25A I(T)RMS, PLASTIC, D2PAK-3
CQDD-25MTR13LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		TRIAC, 600V V(DRM), 25A I(T)RMS,
CQDD-25MTR13PBFREE CENTRAL

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 		TRIAC, 600V V(DRM), 25A I(T)RMS,
CQDD-25N CENTRAL

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 		25 AMP TRIAC 600 THRU 800 VOLTS

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