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CQD-4MBKLEADFREE

更新时间： 2024-11-26 19:58:43

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CENTRAL		栅栅极
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2页	490K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM)

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CQD-4MBKLEADFREE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
关态电压最小值的临界上升速率：	11 V/us	最大直流栅极触发电流：	5 mA
最大直流栅极触发电压：	1.7 V	最大维持电流：	5 mA
最大漏电流：	0.2 mA	通态非重复峰值电流：	40 A
最大通态电压：	1.75 V	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	断态重复峰值电压：	600 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

CQD-4MBKLEADFREE 数据手册

CQD-4M

CQD-4N

www.centralsemi.com

SURFACE MOUNT SILICON

TRIACS

4.0 AMP, 600 THRU 800 VOLT

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQD-4M and

CQD-4N are epoxy molded silicon TRIACs designed

for full wave AC control applications featuring gate

triggering in all four quadrants.

MARKING: FULL PART NUMBER

DPAK CASE

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

CQD-4M

CQD-4N

UNITS

Peak Repetitive Off-State Voltage

600

800

DRM

RMS On-State Current (T =80°C)

4.0

A²s

T(RMS)

Peak One Cycle Surge, t=10ms

I²t Value for Fusing, t=10ms

Peak Gate Power, tp=10μs

Average Gate Power Dissipation

Peak Gate Current, tp=10μs

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

TSM

I²t

2.4

3.0

0.2

1.2

G(AV)

-40 to +125

-40 to +150

°C

stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNITS

Rated V

R =1KΩ

DRM GK

200

5.0

μA

DRM

Rated V

, R =1KΩ, T =125°C

μA

DRM GK

V =12V, QUAD I, II, III

2.5

5.4

V =12V, QUAD IV

9.0

=1KΩ

1.6

5.0

V =12V, QUAD I, II, III, IV

0.95

1.25

1.75

=6.0A, tp=380μs

dv/dt

V = / V

T =125°C

V/μs

DRM

R2 (21-January 2013)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CQD-4MBKPBFREE	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM),
CQD-4MBKTIN/LEAD	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 600V V(DRM)
CQD-4MLEADFREE	CENTRAL	获取价格	4 Quadrant Logic Level TRIAC, 600V V(DRM), 4A I(T)RMS, PLASTIC, DPAK-3
CQD-4MTR13	CENTRAL	获取价格	4 Quadrant Logic Level TRIAC, 600V V(DRM), 4000mA I(T), 4A I(T)RMS, PLASTIC, DPAK-3
CQD-4MTR13PBFREE	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM),
CQD-4N	CENTRAL	获取价格	4.0 AMP TRIAC 600 THRU 800 VOLTS
CQD-4NBK	CENTRAL	获取价格	4 Quadrant Logic Level TRIAC, 800V V(DRM), 4000mA I(T), 4A I(T)RMS, PLASTIC, DPAK-3
CQD-4NBKLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM)
CQD-4NBKPBFREE	CENTRAL	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM),
CQD50C1-4.999MHZ-A	CALIBER	获取价格	Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 4.999MHz Nom, HC49/US, SMD, 4 PIN