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CQ92BTAPMLEADFREE

更新时间： 2024-11-21 13:07:03

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2页	73K
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TRIAC, 200V V(DRM), 1A I(T)RMS, TO-92,

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CQ92BTAPMLEADFREE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.7
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	1 A
断态重复峰值电压：	200 V	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
触发设备类型：	TRIAC	Base Number Matches：	1

CQ92BTAPMLEADFREE 数据手册

CQ92B

CQ92D

CQ92M

CQ92N

Central

Semiconductor Corp.

TRIAC

DESCRIPTION:

1.0 AMP, 200 THRU 800 VOLTS

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ92B

Series are epoxy molded silicon Triacs designed

for full wave AC control applications featuring

gate triggering in all four (4) quadrants.

MARKING CODE: FULL PART NUMBER

TO-92 CASE

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

CQ92B CQ92D

200 400

CQ92M CQ92N

600 800

UNITS

A²s

°C

°C/W

Peak Repetitive Off-State Voltage

DRM

T(RMS)

TSM

RMS On-State Current (T =50°C)

I²t

1.0

Peak One Cycle Surge (t=10ms)

I²t Value for Fusing (t=10ms)

Peak Gate Power (tp=10µs)

Average Gate Power Dissipation

Peak Gate Current (tp=10µs)

Peak Gate Voltage (tp=10µs)

Storage Temperature

2.0

3.0

0.2

1.2

8.0

G (AV)

stg

-40 to +150

-40 to +125

180

Junction Temperature

Thermal Resistance

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

UNITS

µA

Rated V

R =1KΩ

=1KΩ, T =125°C

V =12V, QUAD I, II, III, IV

5.0

200

5.0

2.0

DRM

DRM, GK

I =100mA, R =1KΩ

V =12V, QUAD I, II, III, IV

=1.2A, tp=380µs

1.26

V/µs

dv/dt

V = / V

T =125°C

DRM, C

R1 (03-June 2004)

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