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CQ92-2M

更新时间： 2024-11-21 03:26:39
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅极触发装置三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
2页 74K
描述
TRIAC 2.0 AMP, 600 THRU 800 VOLTS

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CQ92-2M 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.92Is Samacsys：N
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：2.5 V/us
最大直流栅极触发电流：8 mA最大直流栅极触发电压：1.8 V
最大维持电流：5 mAJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：2 A
断态重复峰值电压：600 V子类别：TRIACs
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：1

CQ92-2M 数据手册

 浏览型号CQ92-2M的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CQ92-2M  
CQ92-2N*  
Semiconductor Corp.  
TRIAC  
2.0 AMP, 600 THRU 800 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ92-2M  
and CQ92-2N are epoxy molded silicon Triacs  
designed for full wave AC control applications  
featuring gate triggering in all four (4) quadrants.  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
TO-92 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
CQ92-2M  
CQ92-2N*  
UNITS  
V
A
A
A2s  
W
W
A
V
°C  
°C  
°C/W  
°C/W  
Peak Repetitive Off-State Voltage  
V
600  
800  
DRM  
T(RMS)  
TSM  
RMS On-State Current (T =50°C)  
I
I
I2t  
2.0  
20  
C
Peak One Cycle Surge (t=10ms)  
I2t Value for Fusing (t=10ms)  
Peak Gate Power (tp=10µs)  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current (tp=10µs)  
Peak Gate Voltage (tp=10µs)  
Storage Temperature  
2.0  
3.0  
0.2  
1.2  
8.0  
P
P
I
GM  
G (AV)  
GM  
V
T
T
Θ
Θ
GM  
stg  
J
-40 to +150  
-40 to +125  
180  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
Thermal Resistance  
JA  
JC  
90  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
5.0  
200  
5.0  
8.0  
5.0  
1.8  
1.75  
2.0  
UNITS  
µA  
µA  
mA  
mA  
mA  
V
V
V
V/µs  
I
I
I
I
I
Rated V  
Rated V  
R
=1KΩ  
=1KΩ, T =125°C  
V =12V, QUAD I, II, III  
DRM  
DRM  
GT  
GT  
H
DRM, GK  
R
DRM, GK  
C
1.4  
3.8  
1.2  
1.1  
1.50  
1.7  
D
V =12V, QUAD IV  
D
I =100mA, R =1KΩ  
GK  
T
V
V
V
V =12V, QUAD I, II, III, IV  
GT  
TM  
TM  
D
TM  
TM  
I
I
=2.0A, tp=380µs  
=3.0A, tp=380µs  
2
dv/dt  
V = / V  
T =125°C  
DRM, C  
2.5  
3
D
* Available on request. Please consult factory.  
R0 (22-April 2004)  
12

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