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CQ89-2MTRLEADFREE

更新时间： 2024-11-24 13:00:11

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CENTRAL		三端双向交流开关
页数	文件大小	规格书
2页	76K
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TRIAC, 600V V(DRM), 2A I(T)RMS,

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CQ89-2MTRLEADFREE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
关态电压最小值的临界上升速率：	2.5 V/us	最大直流栅极触发电流：	8 mA
最大直流栅极触发电压：	1.8 V	最大维持电流：	5 mA
最大漏电流：	0.2 mA	最大通态电压：	2 V
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大均方根通态电流：	2 A	断态重复峰值电压：	600 V
子类别：	TRIACs	表面贴装：	YES
触发设备类型：	TRIAC	Base Number Matches：	1

CQ89-2MTRLEADFREE 数据手册

Central

CQ89-2M

CQ89-2N

Semiconductor Corp.

2.0 AMP TRIAC

600 THRU 800 VOLTS

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ89-2M

series type is an Epoxy Molded Silicon Triac

designed for full wave AC control applications

featuring gate triggering in all four (4) quadrants.

MARKING CODE: FULL PART NUMBER

SOT-89 CASE

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

CQ89

-2M

600

CQ89

-2N

800

UNITS

A²s

°C

°C/W

Peak Repetitive Off-State Voltage

DRM

T(RMS)

TSM

RMS On-State Current (T =50°C)

I²t

2.0

Peak One Cycle Surge (t=10ms)

I²t Value for Fusing (t=10ms)

Peak Gate Power (tp=10µs)

Average Gate Power Dissipation

Peak Gate Current (tp=10µs)

Peak Gate Voltage (tp=10µs)

Storage Temperature

2.0

3.0

0.2

1.2

8.0

G(AV)

stg

-40 to +150

-40 to +125

180

Junction Temperature

Thermal Resistance

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

5.0

200

5.00

8.00

5.0

1.8

1.75

2.0

UNITS

µA

V/µs

Rated V

=1KΩ

DRM

DRM, GK

, R =1KΩ, T =125°C

V =12V, QUAD I, II, III

DRM GK

1.35

3.75

1.2

1.1

1.50

1.7

V =12V, QUAD IV

=1KΩ

V =12V, QUAD I, II, III, IV

=2.0A, tp=380µs

=3.0A, tp=380µs

dv/dt

V = / V

T =125°C

DRM, C

2.5

R0 (10-May 2004)

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