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CQ202-4DLEADFREE

更新时间： 2024-11-21 13:00:39
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅极触发装置三端双向交流开关局域网
页数 文件大小 规格书
2页 36K
描述
4 Quadrant Logic Level TRIAC, 400V V(DRM), 4A I(T)RMS, TO-202,

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CQ202-4DLEADFREE 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.83Is Samacsys：N
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-202JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：4 A断态重复峰值电压：400 V
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：1

CQ202-4DLEADFREE 数据手册

 浏览型号CQ202-4DLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CQ202-4B  
CQ202-4D  
CQ202-4M  
CQ202-4N  
Central  
Semiconductor Corp.  
4.0 AMP TRIAC  
200 THRU 800 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ202-4B  
series type is an Epoxy Molded Silicon Triac  
designed for full wave AC control applications  
featuring gate triggering in all four (4) quadrants.  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
TO-202 THYRISTOR CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
CQ202  
-4B  
CQ202  
-4D  
CQ202  
-4M  
CQ202  
-4N UNITS  
Peak Repetitive Off-State Voltage  
V
I
200  
400  
600  
800  
V
A
DRM  
RMS On-State Current (T =80°C)  
C
4.0  
40  
T(RMS)  
TSM  
Peak Non-Repetitive Surge Current (t=8.3ms)  
Peak Non-Repetitive Surge Current (t=10ms)  
I2t Value for Fusing (t=10ms)  
Peak Gate Power (tp=10µs)  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current (tp=10µs)  
Storage Temperature  
I
I
A
35  
A
TSM  
I2t  
6.0  
3.0  
0.2  
1.2  
A2s  
W
P
GM  
P
I
W
G(AV)  
A
GM  
T
-40 to +150  
-40 to +125  
60  
°C  
°C  
°C/W  
°C/W  
stg  
Junction Temperature  
T
J
Thermal Resistance  
Θ
Θ
JA  
JC  
Thermal Resistance  
7.5  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
10  
UNITS  
µA  
I
Rated V  
Rated V  
R
=1KΩ  
DRM  
DRM, GK  
I
, R =1KΩ, T =125°C  
DRM GK  
200  
20  
µA  
DRM  
C
I
V =12V, QUAD I, II, III  
D
V =12V, QUAD IV  
D
6.6  
35  
mA  
mA  
mA  
V
GT  
I
50  
GT  
I
R
=1KΩ  
5.2  
1.1  
2.0  
1.25  
25  
H
GK  
V
V =12V, QUAD I, II, III  
D
V =12V, QUAD IV  
D
1.5  
2.5  
1.60  
GT  
V
V
GT  
V
I
=6.0A, tp=380µs  
2
V
TM  
TM  
dv/dt  
V = / V  
T =125°C  
5.0  
V/µs  
3
D
DRM, C  
R5 (27-June 2005)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CQ202-4DS CENTRAL

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 		4.0 AMP TRIAC 200 THRU 800 VOLTS
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 		4.0 AMP TRIAC 200 THRU 800 VOLTS
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 		TRIAC, 400V V(DRM), 4A I(T)RMS, TO-202-2, 3 PIN
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 		暂无描述
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