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CPT40035E3

更新时间: 2024-11-22 05:09:47
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 153K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 200A, 35V V(RRM), Silicon,

CPT40035E3 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.71Is Samacsys:N
其他特性:REVERSE ENERGY TESTED应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.78 VJESD-30 代码:R-XUFM-X2
最大非重复峰值正向电流:3000 A元件数量:2
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:200 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压:35 V最大反向电流:5000 µA
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

CPT40035E3 数据手册

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