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CPT400100A PDF预览

CPT400100A

更新时间： 2024-11-02 20:46:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 105K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 200A, 100V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2

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CPT400100A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-XUFM-X2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.81
应用：POWER外壳连接：ANODE
配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X2
最大非重复峰值正向电流：3000 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：200 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
Base Number Matches：1

CPT400100A 数据手册

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Schottky PowerMod  
CPT40080-CPT400100  
A
Dim. Inches  
Millimeters  
R
Min.  
Max. Notes  
Max. Min.  
G
Baseplate  
A=Common Anode  
---  
17.78  
---  
92.20  
20.32  
A ---  
B 0.700  
C ---  
E 0.120  
F 0.490  
3.630  
0.800  
0.630  
0.130  
0.510  
B
16.00  
3.30  
12.95  
3.05  
12.45  
Q
N
W
1.375 BSC  
G
34.92 BSC  
Baseplate  
---  
---  
7.37  
H 0.010  
N ---  
Q 0.275  
---  
---  
0.290  
0.25  
---  
F
Common Cathode  
1/4-20  
Dia.  
U
U
6.99  
R
80.01 BSC  
3.150 BSC  
C
15.24  
7.92  
4.57  
---  
8.64  
4.95  
U 0.600  
V 0.312  
W 0.180  
---  
0.340  
0.195  
H
Baseplate  
D=Doubler  
Dia.  
V
Notes:  
E
Baseplate: Nickel plated  
copper  
Schottky Barrier Rectifier  
Guard Ring Protection  
Microsemi  
Catalog Number Part Number  
Industry  
Working Peak Repetitive Peak  
Reverse Voltage Reverse Voltage  
CPT40080*  
403CNQ080  
80V  
80V  
400 Amperes/80-100 Volts  
175°C Junction Temperature  
MBR40080CT  
CPT40090*  
CPT400100*  
90V  
90V  
403CNQ100  
MBRP400100CTL  
MBR400100CT  
100V  
100V  
Reverse Energy Tested  
ROHS Compliant  
*Add Suffix A for Common Anode, D for Doubler  
Electrical Characteristics  
I
I
I
I
V
V
T
T
R
R
F(AV)400 Amps  
F(AV)200 Amps  
FSM 3000 Amps  
R(OV)2 Amps  
C = 121°C, Square wave, 0JC = 0.16°C/W  
Average forward current per pkg  
Average forward current per leg  
Maximum surge current per leg  
Maximum repetitive reverse current per leg  
Max peak forward voltage per leg  
Max peak forward voltage per leg  
Max peak reverse current per leg  
Max peak reverse current per leg  
C = 121°C, Square wave, 0JC = 0.32°C/W  
T
8.3ms, half sine, J = 175°C  
f = 1 KHZ, 25°C, 1µsec square wave  
I
I
V
V
V
T
FM = 200A: J = 25°C*  
FM  
.89 Volts  
T
FM = 200A: J = 175°C*  
FM  
.69 Volts  
I
I
T
RRM, J = 125°C*  
RM 50 mA  
T
RRM, J = 25°C  
RM 5.0 mA  
C
T
R = 5.0V, C = 25°C  
Typical junction capacitance per leg  
J
4400 pF  
*Pulse test: Pulse width 300µsec, Duty cycle 2%  
Thermal and Mechanical Characteristics  
T
T
R
R
Storage temp range  
STG  
J
OJC  
OJC  
-55°C to 175°C  
-55°C to 175°C  
0.32°C/W Junction to case  
0.16°C/W Junction to case  
Operating junction temp range  
Max thermal resistance per leg  
Max thermal resistance per pkg  
Typical thermal resistance (greased)  
R
OCS  
0.08°C/W Case to sink  
Terminal Torque  
Mounting Base Torque (outside holes)  
Mounting Base Torque (center hole)  
center hole must be torqued first  
35-40 inch pounds  
30-40 inch pounds  
8-10 inch pounds  
Weight  
2.8 ounces (77 grams) typical  
www.microsemi.com  
September 2014 - Rev. 9  
1234

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与CPT400100A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CPT400100AE3 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 200A, 100V V(RRM), Silicon
CPT400100DE3 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 200A, 100V V(RRM), Silicon
CPT400100E3 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 200A, 100V V(RRM), Silicon
CPT400120 MICROSEMI

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 		Schottky PowerMod
CPT400120A MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 200A, 120V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT
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 		Schottky PowerMod
CPT400150A MICROSEMI

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