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CPQ110-CQDD-8M-WR

更新时间: 2025-07-20 09:44:39
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CENTRAL 三端双向交流开关
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1页 98K
描述
TRIAC

CPQ110-CQDD-8M-WR 数据手册

  
PROCESS CPQ110  
Triac  
8 Amp, 600 Volt Triac Chip  
PROCESS DETAILS  
Process  
GLASS PASSIVATED MESA  
110 x 110 MILS  
Die Size  
Die Thickness  
8.6 MILS 0.6 MILS  
80 x 35 MILS  
MT1 Bonding Pad Area  
Gate Bonding Pad Area  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
37 x 37 MILS  
Al - 45,000Å  
Al/Mo/Ni/Ag - 32,000Å  
GEOMETRY  
GROSS DIE PER 4 INCH WAFER  
876  
PRINCIPAL DEVICE TYPES  
CQ220-8B Series  
CQDD-8M Series  
BACKSIDE MT2  
R1 (29-April 2010)  
www.centralsemi.com