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CPDH5V0P-HF

更新时间： 2024-09-14 21:11:39
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 局域网光电二极管电视
页数 文件大小 规格书
4页 118K
描述
TVS DIODE 5VWM 13VC SOD523

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CPDH5V0P-HF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：1.69
其他特性：LOW CAPACITANCE最大击穿电压：8 V
最小击穿电压：5.6 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F2最大非重复峰值反向功率耗散：39 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：BIDIRECTIONAL参考标准：IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压：5 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

CPDH5V0P-HF 数据手册

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SMD ESD Protection Diode  
CPDH5V0P-HF  
RoHS Device  
Halogen Free  
SOD-523  
Features  
- IEC 61000-4-2 (ESD): Contact ±12KV.  
- Bi-directional ESD protection of one line.  
0.051(1.30)  
0.043(1.10)  
0.008(0.20)REF  
0.014(0.35)  
0.010(0.25)  
- Fast response time.  
0.033(0.85)  
0.030(0.75)  
- Low Leakage current.  
- Low reverse clamping voltage.  
- Low capacitance: 3pF(Typ.)  
0.067(1.70)  
0.059(1.50)  
0.031(0.77)  
0.020(0.51)  
Mechanical data  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
0.003(0.07)  
0.001(0.01)  
- Case: SOD-523 standard package,  
molded plastic.  
- Terminals: Solderable per MIL-STD-750,  
method 2026.  
- Marking Code: HD  
- Mounting position: Any  
- Weight: 0.0012 grams(approx.).  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Circuit Diagram  
Maximum Rating (at TA=25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
ESD per IEC 61000-4-2 (Air)  
ESD per IEC 61000-4-2 (Contact)  
±12  
±12  
(1)  
VESD  
KV  
JESD22-A114-B ESD Voltage  
ESD Voltage  
Per Human Body Model  
±16  
±0.4  
Per Machine Model  
(2)  
Peak Pulse Power  
PPP  
39  
3
W
A
(2)  
Peak Pulse Current  
IPP  
Lead Solder Temperature  
Junction temperature range  
Storage temperature range  
Maximum (10 Second Duration)  
TL  
TJ  
260  
°C  
°C  
°C  
-40 to +150  
-55 to +150  
TSTG  
Electrical Characteristics (at TA=25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Typ  
Parameter  
Conditions  
Min  
Max Unit  
(3)  
Reverse stand-off voltage  
VRWM  
5
V
μA  
V
Reverse leakage current  
Breakdown voltage  
Clamping voltage  
VRWM = 5 V  
IR  
1
V(BR)  
IT = 1 mA  
5.6  
8
(2)  
IPP = 3 A  
VC  
13  
V
Junction capacitance  
pF  
VR = 0V , F = 1MHz  
CJ  
3
Notes: 1. Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.  
2. Non-repetitive current pulse 8/20μs exponential decay waveform according to IEC61000-4-5.  
3. Other voltages available upon request.  
Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.  
QW-JP059  
REV:A  
Page 1  
Comchip Technology CO., LTD.  
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