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CPD91V-CMDD6001-WN

更新时间： 2023-06-15 00:00:00

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CPD91V-CMDD6001-WN 技术参数

PROCESS CPD91V

Switching Diode

Low Leakage Switching Diode Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

11 x 11 MILS

7.1 MILS

Die Thickness

Anode Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

3.35 x 3.35 MILS

Al - 15,000Å

Au-As - 12,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 5 INCH WAFER

137,880

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CMPD6001 Series

CMOD6001

CMLD6001

CMLD6001DO

CMDD6001

R2 (3-August 2010)

www.centralsemi.com

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